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[参考译文] UCC27611:VREF 引脚上的最小电容是多少

Guru**** 2390775 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27611

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1176914/ucc27611-what-is-the-minimum-capactiance-on-vref-pin

器件型号:UCC27611

VREF 引脚上当前有0.1uF 和1uF 电容器。  问题是、在启动期间、VREF 可能需要76uec 才能达到5V。  这会导致不可预测的开关、并且在此期间没有开关。  我想知道我可以使用多小的电容器、并且该 LDO 仍然保持稳定。   

我要说、由于我使用 UCC27611作为浮动在降压转换器的开关节点上的高侧驱动器、因此该应用略有不寻常。  由于是电池充电器、因此开关节点的启动高于 UCC27611的输入电压、因此在开关开始切换之前、CREF 不会在启动时立即充电。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kevin:

    在我们的应用手册 《MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路基础知识》中、我们提供了一个示例电路、介绍了如何对电容器进行充电。 当然、您必须更改一些连接以适合您的电路。



    来回答 CREF 的最小电容是多少这一问题、这取决于 FET 的开关频率、栅极电荷和栅源漏电流。 如果你给我这三个方面、我可以粗略估计最小电容是多少。

    此致、
    Edthan Galloway

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    有趣。  电路创意。   由于 UC27611的 GND 连接到开关节点以获得更高的电压(75vin)、因此它有很多错误。  我可以根据栅极电荷等轻松计算最小 CREF。 fsw = 200kHz、栅极电荷= 13nC、IGS 将会像2mA 一样、因为我也会通过 VREF 电源为隔离器供电。  困扰我的是 LDO 稳定性问题。  通常情况下、LDO 的补偿需要最小的电容值才能在整个温度范围内正常工作等

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    尊敬的 Kevin:

    我将在周一向您提供更多信息。

    您能否向我发送您当前为该驱动程序提供的原理图?

    此致、
    Edthan Galloway

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    尊敬的 Kevin:

    您必须对我所连接的电路进行一些更改。

    驱动器 GND 将连接至 VS。
    DBST 被删除。
    Dz 的齐纳电压变为5伏
    CBST 变为 CREF。
    VDD 电容从 VCC 连接到 VS。

    该电路的主要优势是当施加 Vin 时、CREF 会充电。 在这种情况下、这可能会缩短您的启动时间。

    对于您的电路、您还可以尝试增大 VDD 电容的电容。 这可能会使 LDO 更稳定。

    此致、
    Edthan Galloway

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    我看到您尝试对该电路执行什么操作。  如果我计划重新制造电路板、我可能会包括启动网络。  这确实意味着所有驱动电流现在都来自75V、这并不是最高效的。  我目前真正想知道的是、CREF I 可以放置在 LDO 的输出上多小、并且仍然是稳定的。   

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    尊敬的 Kevin:

    我将与我们的设计人员讨论 LDO 稳定性。 我很快会回来的。

    同时、您看到 LDO 到底有什么作用? 您能否向开关节点发送测量 VREF 的示波器快照? 您可以使用差分探头进行测量、也可以使用两个单面探头和数学函数进行测量。

    此外、您的 VDD 电压是多少?

    此致、
    Edthan Galloway

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    LDO 在电容为1uF 时非常稳定、由于其电流限制、它启动需要一段时间(76 uec)。

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    VDD 当前为8V

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    C50a 是 CREF。  它在开关节点上浮动、但您可以看到、只要开关节点变为低电平、它就会缓慢上升。

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    尊敬的 Kevin:

    由于开关节点仅在短时间内变为低电平、因此 CREF 似乎无法上升。 使开关节点保持低电平是否有助于缩短充电时间?

    顺便说一下、哪个信号是开关节点? 您能否获取 CREF 和开关节点的差分电压?

    此致、
    Edthan Galloway

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    我将 CREF 的电容降低到0.1uF、看起来更幸福。  启动时间大约 为20 μ s。  我无法控制其开始的占空比。  这取决于我使用的旧版 TI 稳压器中一些未记录的启动延迟时间。  我看了 UCC276111的 VDD、占空比就足够了、并且在第一个开关周期它能够捕捉高达8V 的电压。  它只是内部 LDO 的电流限制。   我无法很好地进行差分测量、因为最小输入电压为43V、而我的差分探头的额定电压仅为42V。  您必须从 CREF 上的电压推断开关节点、CREF 上的电压在开关节点上浮动。  是的、开关节点将一直归零伏。

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    20us 是否适用于该电路? 您正在寻找多快的速度?

    您可以使用两个单面探头并使用数学函数创建差分测量。

    如果我们需要调试更多内容、您可以将 SW 信号和 UCC27611 VDD 信号放在示波器上吗? 请记住、该器件的 GND 基准是 SW。 如果您从所有 UCC27611信号中减去 SW、这将使对图形的理解变得更加简单。

    此致、
    Edthan Galloway

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    差分探头非常差。  这是 VDD、Vref 和 vgate 上的电压(自举电源电压)。  由于我只有一个探针、因此所有测量结果都是在单独的波形上测得的。  我仍然想知道 Vref 引脚上的最小稳定值是多少。  这些波形在 Vref 上直接为100nF 、在 Vref 上与 UC27611有一定距离时为100nF

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    尊敬的 Kevin:

    感谢您的测量。 这些图形更易于阅读。

    我将查看您的测量结果。 您可能处于 LDO VREF 电容的极限。 通常、对于 GaN FET、您不应超过6伏。 电容器越小、噪声越大、FET 就越有可能损坏。

    Vgate 也对应于哪个信号?

    为了进一步提高 VREF 充电的速率、可能需要增大 VDD 电压。 该方法在 EVM 上运行良好。

    感谢您耐心等待。 我仍在寻找一种方法来计算 VREF 的最小电容、我仍在与设计团队讨论这一点。

    此致、
    Edthan Galloway

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    尊敬的 Kevin:

    我已经和设计团队讨论过、我们可以推荐的 VREF 的最低电容值电容为1uF。 LDO 性能开始下降、我们无法判断 LDO 是否工作。

    请记住、VREF 电容器可滤除 LDO 信号中的噪声并为栅极驱动器供电。 如果电容器过低、上升/下降时间可能会开始增加。

    此致、
    Edthan Galloway