VREF 引脚上当前有0.1uF 和1uF 电容器。 问题是、在启动期间、VREF 可能需要76uec 才能达到5V。 这会导致不可预测的开关、并且在此期间没有开关。 我想知道我可以使用多小的电容器、并且该 LDO 仍然保持稳定。
我要说、由于我使用 UCC27611作为浮动在降压转换器的开关节点上的高侧驱动器、因此该应用略有不寻常。 由于是电池充电器、因此开关节点的启动高于 UCC27611的输入电压、因此在开关开始切换之前、CREF 不会在启动时立即充电。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
VREF 引脚上当前有0.1uF 和1uF 电容器。 问题是、在启动期间、VREF 可能需要76uec 才能达到5V。 这会导致不可预测的开关、并且在此期间没有开关。 我想知道我可以使用多小的电容器、并且该 LDO 仍然保持稳定。
我要说、由于我使用 UCC27611作为浮动在降压转换器的开关节点上的高侧驱动器、因此该应用略有不寻常。 由于是电池充电器、因此开关节点的启动高于 UCC27611的输入电压、因此在开关开始切换之前、CREF 不会在启动时立即充电。
尊敬的 Kevin:
在我们的应用手册 《MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路基础知识》中、我们提供了一个示例电路、介绍了如何对电容器进行充电。 当然、您必须更改一些连接以适合您的电路。
来回答 CREF 的最小电容是多少这一问题、这取决于 FET 的开关频率、栅极电荷和栅源漏电流。 如果你给我这三个方面、我可以粗略估计最小电容是多少。
此致、
Edthan Galloway
有趣。 电路创意。 由于 UC27611的 GND 连接到开关节点以获得更高的电压(75vin)、因此它有很多错误。 我可以根据栅极电荷等轻松计算最小 CREF。 fsw = 200kHz、栅极电荷= 13nC、IGS 将会像2mA 一样、因为我也会通过 VREF 电源为隔离器供电。 困扰我的是 LDO 稳定性问题。 通常情况下、LDO 的补偿需要最小的电容值才能在整个温度范围内正常工作等
尊敬的 Kevin:
您必须对我所连接的电路进行一些更改。
驱动器 GND 将连接至 VS。
DBST 被删除。
Dz 的齐纳电压变为5伏
CBST 变为 CREF。
VDD 电容从 VCC 连接到 VS。
该电路的主要优势是当施加 Vin 时、CREF 会充电。 在这种情况下、这可能会缩短您的启动时间。
对于您的电路、您还可以尝试增大 VDD 电容的电容。 这可能会使 LDO 更稳定。
此致、
Edthan Galloway
我将 CREF 的电容降低到0.1uF、看起来更幸福。 启动时间大约 为20 μ s。 我无法控制其开始的占空比。 这取决于我使用的旧版 TI 稳压器中一些未记录的启动延迟时间。 我看了 UCC276111的 VDD、占空比就足够了、并且在第一个开关周期它能够捕捉高达8V 的电压。 它只是内部 LDO 的电流限制。 我无法很好地进行差分测量、因为最小输入电压为43V、而我的差分探头的额定电压仅为42V。 您必须从 CREF 上的电压推断开关节点、CREF 上的电压在开关节点上浮动。 是的、开关节点将一直归零伏。
尊敬的 Kevin:
感谢您的测量。 这些图形更易于阅读。
我将查看您的测量结果。 您可能处于 LDO VREF 电容的极限。 通常、对于 GaN FET、您不应超过6伏。 电容器越小、噪声越大、FET 就越有可能损坏。
Vgate 也对应于哪个信号?
为了进一步提高 VREF 充电的速率、可能需要增大 VDD 电压。 该方法在 EVM 上运行良好。
感谢您耐心等待。 我仍在寻找一种方法来计算 VREF 的最小电容、我仍在与设计团队讨论这一点。
此致、
Edthan Galloway