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[参考译文] BQ24133:bq24133

Guru**** 2318830 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24133
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/591955/bq24133-bq24133

器件型号:BQ24133

尊敬的 所有人:

请查看下面的布局,您能否检查我的布局是否与开尔文连接兼容,因为我在电流充电和充电终止方面存在问题,所以电流感应10m Ω(2512封装,0R01 1% Royalohm), 如果这种布局对充电终止和快速充电阶段有影响。

谢谢  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Salwan Nabeel、

    请参阅 bq24133数据表"12.1布局指南"http://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq24133.pdf  和 EVM 用户指南"4.2电路板布局" http://www.ti.com/lit/ug/sluu476/sluu476.pdf 。

    请参阅 EVM 用户指南中的下图。 R15是充电电流感应电阻器、C18、C20和 C21 (开路)是去耦电容器。

    与您的布局相比、首先、您的设计的感应迹线太宽、请勿将其与除去耦电容器之外的其他迹线或元件连接。 第二、请遵循数据表中的布局指南、将去耦电容器放置在 IC 旁边。

    我们强烈建议您在设计中遵循 EVM 布局。

    此致、

    Ann Lien

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    尊敬的安:

    非常感谢您的回复和评论,我会在我的设计中这么做。

    此致