[参考译文] BQ24266：BQ24266 TS 和过电池电压问题

您好、耶稣：

关于1、高阻抗 TS 引脚可直接连接到 DRV 以禁用 TS 功能。

关于2、打开 BATFET 以将过压电池从 BAT 放电至 SYS 是一项安全功能、无法禁用。   BAT 和 SYS 引脚的额定电压分别仅为5V 和5.5V 绝对最大值。   您可能会考虑添加一个外部 SVS、例如 TPS3839K50、以驱动电池和 BAT 引脚之间的 PFET 栅极。  当 VBAT>4.38V 时、这将断开电池与充电器的连接。

如果您有其他问题、请告诉我。

好的。

我读过很多关于在电池和充电器之间插入东西以及充电混乱的坏故事。 我想我现在就把它留待。 唯一可以进入 paralell 但不会影响的东西是 Zenner？

另一方面、您能否就外部 FET 的需求提供一些指导？ 我有 EVM、我正在使用它。 我想它比内部效率更高。 这是唯一的原因吗？ 我可以放心地使用内部充电电流为2.5A 的电流吗？
否则、EVM FET 将停产。 您能建议更换一个吗？

非常感谢

您好、耶稣：

与 SYS 并联的齐纳二极管将钳制输出电压、但可能需要灌入大量电流。

外部 FET 仅用于通过 I2C 寄存器或在 VIN 未加电时的放电= HiZ 模式。 内部电路是唯一用于充电的电路。

感谢 Jeff 的回答。

只是为了清楚。 因此、外部 MOSFET 是可选的？ 我是说。 如果没有安装外部所有 FET、当不存在输入电压时、bq24266是否会使用内部 FET 通过 SYS 对电池放电？

您能推荐这样的吗？

如果我要保护电池引脚免受过压影响、就像您说的那样。 您是否有这种设置的经验？ 即使 MOSFET 电阻过大、电荷也能正常工作吗？ 这绝对是最好和最干净的选择。

再次感谢

您好、耶稣：

如果您希望在放电期间将 BAT 到 SYS 的压降降低、则外部 MOSFET 是可选的。 bq24266EVM 上的 PFET 是一个不错的选择。 您需要一个 Rdson 至少与内部 FET 一样低的 FET。

关于串联的 FET、其他客户使用了一个、以便他们可以降低 BAT 下的 Iq 消耗。 您需要一个具有较低 Rdson 的 PFET、该 PFET 的 Rdson 比内部电池 FET 低。 串联电阻越大、锥度时间越长、因此总充电时间也就越长。

明白。

有关 VIN DPM 的信息。 我们计划添加 USB 5V 充电器、只要输入电压为12V 即可。

我们如何处理两个不同的 DPM 阈值？

如果不存在良好的解决方案、是否可以将其禁用？

我已经有外部 SVS。
我看到的问题是、它的绝对最大电压非常低。 如果客户误安装了2S 或3S 电池、将会失败。

您能否推荐更宽的等效电压？ 可能是 TPS3710？

Jeff

我对《利翁》的欠压深感怀疑。 我想在电池电压达到3.2V 时停止使用电池(因为英特尔 Edison 由 SYS 供电、可在3.15V 之前运行)。
我看不到任何断开 SYS 与 BAT 的方法。 无信号允许 BQ24266断开 SYS 与 BAT 的连接。

因此、唯一的方法可能是在 SYS 输出上放置一个额外的开关、并在电压低于3.2V 时将其关闭。

请提供一些建议吗？

非常感谢

耶稣，

没错。 您将需要在 BAT 引脚和电池之间添加一个外部 FET、以断开电池与 SYS 的连接。  此 IC 的 I2C 版本(例如 bq24262) 集成了 SYSOFF 功能。  另一个 I2C IC by25896具有相同的功能和可用于监控电池电压的集成7位 ADC。