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[参考译文] LM3409:PFET 过热

Guru**** 2404675 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3409

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/569322/lm3409-pfet-overheating

器件型号:LM3409

我使用 LM3409通过12V 输入源为单个 LED 供电。 我购买了 EVAL 板、并重新组装了设计电阻器和组件、PFET 和二极管除外、以便对3.1V 输出@ 1.5A 的设计规格进行仿真。 评估板运行良好、组件保持在我预期的温度、基于 EVAL PFET 的开关频率、电流和 RDS_ON、上升时间为7-12°C。 最终测量值约为31°C

当我收到原型板时、该电路在使用 PWM 的输出电流和调光功能方面按预期工作。 当我比较 EVAL 板和 PWA 之间的波形时、它们基本上是相同的。 唯一的差异是开关噪声。 EVAL 板在开启/关闭时具有更高的开关峰值。  

我遇到的主要问题是 PFET 和再循环二极管产生的热量。 与 EVAL 板相比、它们变得非常热。 我将订购与评估板上使用的完全相同的 PFET 和再循环二极管、以查看这是否是问题所在。 但我想确保这是问题、或者可能还有其他问题、因为最后我无法使用 EVAL 板上的 PFET、因为我需要一个额定电压为100V 的 PFET。 PFET 在运行期间达到110°C 的温度。 当我使用数据表中的公式时、我正在计算20-25°C 的上升。 根据 EVAL 板 PFET 和 PFET RDS_ON 之间的差异、这似乎与它应该是什么样的一致。 EVAL 板的 RDS_ON 为200m Ω、而我的 RDS_ON 为500m Ω、因此我计算出 EVAL 板的2.5倍升程。 我应该看到、对于这个计算的设计、PFET 上的温度大约为60-70°C。 由于我在评估板上使用了计算值、我不得不说我的计算是正确的。

我为什么要烧毁 PFET?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Dominic、

    我已经了解了 FET 的差异、我认为我已经发现了这个问题。 LM3409具有6V VCC、因此栅极驱动略小于6V。 如果您查看 FET 的 IR 数据表中的曲线、则使用的 RDS (on)不会为500m Ω(或指定的480m Ω)、因为 FET 未完全增强。 RDS (on)看起来更接近1欧姆或更接近1欧姆。 驱动该 FET 的另一个问题是导通时间会慢得多。 这两种情况都会导致 FET 发热、RDS (on)也会进一步增加。 您可能会遇到热失控的情况。 您将需要在6V 的 Vgs 下使用具有更好特性的 FET。

    此致、

    克林特