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[参考译文] LM25119Q:LM25119Q 上的自适应死区时间控制

Guru**** 2459120 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/568187/lm25119q-adaptive-dead-time-control-on-lm25119q

器件型号:LM25119Q

尊敬的先生。


我的客户正在从失效防护的角度审视自适应死区时间控制。

数据表

" LO 和 HO 输出通过自适应死区时间方法进行控制、该方法可确保两个输出
都不会同时启用。 当控制器命令 HO 启用时、自适应死区时间
逻辑首先禁用 LO 并等待 LO 电压下降。 然后在一个小延迟后启用 HO。 同样、也可以使用
在 HO 电压放电之前、LO 导通被禁用。 这种方法可确保有足够的死区时间
任何尺寸的 MOSFET。"

我想确认以下内容:
1:HO 或 LO、如果一个由于芯片内部故障而未放电(压降)、则另一个从未启用?
2.在死区期间、如果由于芯片故障等原因而使放电电压再次增加、则另一个电压从未启用?

此致、
H. Sakai