[参考译文] LMG5200：用作 GaN FET 漏极脉冲电路

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/567905/lmg5200-use-as-a-gan-fet-drain-pulsing-circuit

器件型号：LMG5200

我正在寻找一个应用电路、该电路允许我将漏极电源脉冲至 GaN FET。

该电路需要在0V 和高达+50V 之间切换、处理高达5A 的电流、速度高达2MHz、占空比可能会降至10%。

当前解决方案使用 LTC4444高电压同步 N 通道 MOSFET 驱动器来驱动高侧和低侧开关、但我想知道德州仪器 LMG3410或 LMG5200是否适合此类应用、如果适合、如何最好地使用它们？

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2459830 points

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Eamonn、您好！

感谢您关注 TI 的 GaN 解决方案。是的、您描述的应用听起来非常适合我们的 LMG5200功率级。此器件可处理您指定的2MHz 频率、5A 电流、50V 总线电压。请注意 LMG52200在 VIN 处的建议工作最大电压为80V、您的帖子提到"+50V。使用 LMG5200替换现有解决方案应能提高整体系统效率。

关于如何充分利用该器件、我建议首先详细查看器件数据表、尤其是应用和实施、电源相关建议和布局部分。此外、请访问 http://www.ti.com/product/LMG5200/toolssoftware 以访问一套 LMG5200的模型、评估模块和参考设计。

LMG3410是一款单路600V GaN FET +驱动器功率级。这是一款性能极高的器件。在所述的电压电平下、它可能会对您的应用造成过大的影响。否则、我会建议您在设计中为 LMG5200输出的功率级使用该器件、而不是分立式 GaN FET。

希望此帖子对您有所帮助。如果是、请按下面的"验证答案"按钮。如果您有任何有关我们 GaN 解决方案产品系列的其他问题、请联系我们(ti.com/gan)

Daniel

电源管理（参考译文帖）

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