[参考译文] BQ24610：布局示例

您好、Tateo、

请参阅数据表的第32页(第12.1节)。 我还提供下面的 giude。
12.1布局指南
应最大限度缩短开关节点的上升和下降时间、以最大限度地降低开关损耗。 的适当布局
最大限度地减小高频电流路径环路的组件(请参阅图23)对于防止电气和非常重要
磁场辐射和高频谐振问题。 下面是 PCB 布局的优先级列表
布局。 必须按照此特定顺序进行 PCB 布局。
1.将输入电容尽可能靠近开关 MOSFET 电源和接地连接放置并使用
尽可能短的覆铜线迹连接。 这些器件应放置在 PCB 的同一层上
而不是在不同的层上、并使用通孔进行此连接。
2. IC 应靠近开关 MOSFET 栅极端子放置、以保持栅极驱动信号布线
短接以实现干净的 MOSFET 驱动。 IC 可放置在 PCB 的另一侧、远离开关
MOSFET。
3.将电感器输入端子尽可能靠近开关 MOSFET 输出端子放置。 将最小化
该迹线的铜面积、以降低电场和磁场辐射、但使迹线足够宽
承载充电电流。 不要为此连接并行使用多个层。 最大限度地减少寄生
从该区域到任何其他布线或平面的电容。
充电电流感应电阻应放置在电感器输出旁边。 传感布线
传感电阻器上连接的引线在同一层中背对 IC、彼此靠近(最大限度减少环路
请勿将检测引线穿过高电流路径(请参阅图24了解开尔文连接
最佳电流精度)。 将去耦电容器放置在 IC 旁边的这些布线上。
5.将输出电容放在感应电阻器输出端和接地端旁边。
6.输出电容接地连接必须连接到与输入电容连接的铜缆上
接地之前接地。
7.将模拟接地与电源接地分开布线，并使用单个接地连接
充电器电源接地至充电器模拟接地。 在 IC 正下方、使用覆铜进行模拟
接地、但应避免电源引脚、以减少电感噪声和电容噪声耦合。 将模拟接地连接到
GND。 使用散热焊盘作为单个接地将模拟接地和电源接地连接在一起
连接点。 或使用0 Ω 电阻器将模拟接地连接到电源接地(散热焊盘应连接到
在本例中为模拟接地)。 强烈建议在散热焊盘下方使用星形连接。
将 IC 封装背面的外露散热焊盘焊接到 PCB 接地至关重要。 确保
IC 正下方有足够的散热过孔、连接到其他层上的接地层。
9.将去耦电容器放置在 IC 引脚旁边、并使走线连接尽可能短。
10.所有过孔的尺寸和数量必须足以满足给定电流路径的要求。
请参阅 EVM 设计(SLUU396)、了解建议的元件放置方式以及布线和过孔位置。
有关 QFN 的信息、请参阅 SCBA017和 SLUA271。

感谢你的答复。 让我确认 EVM 的 GND 连接。 他们考虑参考 EVM 的电路板布局。

-在哪里连接 EVM 的模拟 GND 和电源 GND？
 我认为它位于散热焊盘下方。 对吗？

-它将电源 GND 连接到模拟 GND 的哪一层？ 我想它只是第二层。 对吗？

-他们想知道每个实心 GND 的类型是模拟 GND 还是电源 GND。 我认为它如下所示：

  顶层：电源 GND 和模拟 GND *这些 GND 是分离的
  第二层：电源 GND 和模拟 GND *散热焊盘下方连接了 Tehse GND
  第三层：电源 GND 和模拟 GND *这些 GND 是分离的
  底部 GND：仅电源 GND

 对吗？ 您能否查看以下评论？

此致、
tateo