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[参考译文] TPS40170：具有24V 输入的5V@10A 和12V@11A 转换器的原理图

admin
Guru**** 2328790 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40170
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/586057/tps40170-schematics-for-5v-10a-and-12v-11a-converters-with-a-24v-input

器件型号：TPS40170

您好！

所连接的是从 WEBENCH 生成的两个转换器、它们似乎满足了我的需求。  我想尽可能降低温度(功率损耗)、而不会增加太多面积、可能是功率更好的 FET。 一个问题是低侧驱动器栅极上的1nF 电容器。 它用于平滑驱动器的用途是什么？

如果有人对控制器很了解、可以很好地查看原理图并告诉我任何错误或任何可以改进的东西、我会非常感激。 我向功率 FET 栅极添加了2.5 Ω 串联电阻器、并向 SW 节点添加了可选的缓冲器电路。

谢谢！e2e.ti.com/.../24V_5F00_5V_5F00_10A.pdfe2e.ti.com/.../24V_5F00_12V_5F00_11A.pdf

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    TI__Guru**** 2328790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    有人可以在这里提供帮助吗？ 谢谢！

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    您好！

    您可以查看 TPS40170的数据表中的第8.1.4节。
    当 SW 节点上的 dv/dt 速率过高时、LSDR 上的电容器可以提高可能击穿的抗扰度。

    另一种方法是插入与引导电容器串联的电阻器、或插入电阻器到 HDRV 和高侧 FET 栅极之间的连接、正如您降低高侧 FET 导通速度所做的那样。

    在设计中添加可选的缓冲器非常棒。

    WEBENCH 的设计应该可以。
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    TI__Guru**** 2328790 points
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    另一个建议是 AGND 和 GND 连接。

    您可以参考第8.2节中的典型应用电路和第10.1节中的布局指南、建议将所有敏感控制信号旁路至 AGND、并且 AGND 应在单个点与 PGND 合并。
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    TI__Guru**** 2328790 points
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    尊敬的 Ray：

    感谢您的回答！ 还有一个问题是功率 FET 更改了、以降低功耗、WEBENCH 应该自动重新调整补偿网络、对吧？ 或者、我可能应该在 WEBENCH 论坛中提出这一问题。

    谢谢！