This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ51050B:RFOD 和 Ros 如何影响 FOD 机制?

Guru**** 2325560 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ51050B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/586345/bq51050b-how-rfod-and-ros-affect-the-fod-mechanism

器件型号:BQ51050B

您好!

实际上、我正在设计一款物联网产品、其中包括符合 WPC 1.1标准的无线充电解决方案。 BQ51050B 具有集成锂离子充电器的优点、因此我选择这款。 我的目标是使用1A 的"快速充电"电流为锂离子电池充电。
按照您的数据表、应用手册和 EVM (bq51050BEVM-764)、我了解​​并找到了不同的校准组件值(谐振电容器、最大电流输出电阻器、终端电阻器...) 但我不理解其中一个特性:Ros 和 RFOD 如何校准 FOD 机制?

我知道这些电阻器必须特别注意、并且必须进行"校准"以确保 WPC v1.1兼容性。 我找到了您的相关工具(外来物体检测(FOD)校准/调优工具)、我对此有一些疑问:
1) 1)如何建立模型误差曲线? 哪些参数决定了该曲线以及 Vos 如何更改该模型?
2)通过操纵 Vos (我假设电阻器 Ros 中的电压)来修正模型误差、该值是否会影响电阻器的电气特性?
3)电气方面、Ros 如何改变偏置、而 RFOD 是如何改变输出电容曲线的斜率?
这种关系是否有某种方程式?
我想这些电阻器中的一个(RFOD?) 表示影响接收功率的组件(用户手册第6.2部分)、电压(VFOD)必须是此公式的一部分。

很抱歉,我想在兴建 PCB 前,最少有几个关於 FOD 机制的资料。
该项目的目标是提供概念证明、因此我们目前可能不需要该工具。 我想确保使用 EVM 值(Ros = 42.2k 且 RFOD = 200)、我将拥有一个功能器件。

谢谢你

Nicolas 法律

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好、Nicol
    另请看常见问题解答部分、我有一个有关无线电源的演示文稿可能会有所帮助。
    RX 将报告它接收到的功率、此信息被设置为 TX 作为接收到的功率数据包。 TX 知道发送给 RX 的功率、RX 刚刚告诉它接收了多少功率、差值是损耗。 假定损耗进入一个外来物体、当它超过用户设定的阈值时、就会声明一个故障。

    只看 RX 中的 FOD - RX 将测量作为输出电流的函数的接收功率。 FOD 引脚是 ILIM 电路的一部分。 ILIM 引脚将生成与输出电流成比例的电流。 FOD 电阻器将对该电流进行采样、电压将转换为接收功率。 R-FOD 和 R-OS 的组合用于生成表示整个负载的接收功率的曲线。

    接收功率还需要表示手机中金属的损耗、线圈的行为和其他因素。 作为 FOD 校准的一部分、接收到的功率在线圈的中心位置和偏离中心的4个位置进行测量。 然后、这些读数使用提供的扩展表来计算 R-FOD 和 R-OS 的可接受值。