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[参考译文] 功率 MOSFET 损耗计算 CSD17551QA

Guru**** 2325560 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/585880/power-mosfet-loss-calculation-csd17551qa

你(们)好。

在 以下应用中、我很难找到 MOSFET 上的总功率损耗。

用于测试电压稳压器的直流电子负载。该负载消耗设置振幅和频率的脉冲电流。 我的疑问是,我们如何计算 MOSFET 上的总损耗。显示了波形

内容。    

  MOSFET 上的总功率损耗是多少(导通和开关)  

MOSFET 是否能够承受上述情况下的功率损耗。 即开关电流(10A (峰值) 1KHz 的脉动电流和10%的占空比)。  最大3.3V 电压

此致  

Manjunath I

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    Manjunath、  

    开关频率非常低、因此我们可能只需查看导通损耗即可。 导通时 FET 上的电压是多少?  

    我只会使用 P = I * V *占空比。  

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    您好、Brett、

    MOSFET 导通时的电压为3.2V,因此最大功率为~ 2W (3.2 * 6 * 0.1)。 我能否使用3.1W 绝对额定功率 MOSFET。  

    P.S.

    3.2V 是 MOSFET 导通时的最大电压、6A 是峰值电流。  

    此致  

     

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    Manjunath、  

    这似乎不正确。 在您的波形中、当 FET 关闭时、FET 上的电压仅为3.2V。

    当 FET 导通时、它下降得低得多(假设您完全增强了 FET)。 导通期间 FET 上的电压是多少? 或者我们可以通过 I^2*R 来计算损耗、但我们需要知道 FET 导通时的栅极驱动电压是多少、以了解电阻。  

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    您好,Brett,

    很抱歉这个错误。FET 导通时的电压大约为2.3V。我不是在欧姆区域运行 MOSFET ,而是在饱和区域运行。  

    此致 Manjunath I  

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    那么您的平均功率损耗将为2.3V * 10A * 10%= 2.3W。 对于 QFN 而言、这是一个相当大的功率-例如、我们建议在1x1" 2oz 铜电路板上安装的 SON5x6最大功率约为2.4W、因此 FET 能否处理这一功率取决于您的热环境。