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器件型号：TPS54360B 主题中讨论的其他器件：LM5088、
大家好、
我打算使用文档(1) SNVA681A–2015年3月、第页码中提到的参考设计 5.
图6. 负载突降保护应用电路、已附加图像以供参考。
我计划使用 TPS54360B、而不是 LM5088–Q1。
在这里、我的问题是、
问题1. 由于在高侧使用 P 沟道 MOSFET、
应该不会将 P-MOSFET 的漏极连接到源极侧
P 沟道 MOSFET 的源极朝向 负载侧(LM5088–Q1)？
我需要澄清的原因是、在参考文档(2)汽车 MOSFET 电池反向保护中、
这是高侧 P-MOSFET 的建议方向。
此外、当我们参考(3) 17TIDUC42–2016年11月时、
N-MOSFET 的方向与文档(2)中所述的 N MOSFET 方向相同。
问题2. 那么、我们是否应该遵循图6中所述电路图(2)中所述的相同 P-MOSFET 方向？
请澄清。
参考链接：
SNVA681A–2015年3月：
2.汽车 MOSFET 电池反向保护
17 TIDUC42–2016年11月
提前感谢！
此致
