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器件型号:CSD13302W 大家好、
我的客户正在为 AMOLED 面板设计电源电路、并希望使用 N-MOSFET 作为负电源电压(ELVSS)的负载开关。 应用图如下所示。
ELVDD 为4.6V、ELVSS 为-3.0V、VCI 为3.3V、VDD 为1.8V、VGL 为-6.0V。
我们希望使用 VCI 或 VDD 为高电压的 GPIO 和 VGL 为低电压的 GPIO 来控制 MOSFET 的栅极。 您是否会建议此方法是否正常? 当 VGS 低于0伏时、MOSFET 是否会关断? 您对此应用有其他建议吗? 谢谢。
Kevin