BQ24725A 的数据表指定了10-20uF 的输入和输出电容、并在选择陶瓷电容时进一步建议谨慎、因为在高电压下电容会降额：
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容是输入去耦电容的首选、应放置在高侧 MOSFET 的漏极和低侧 MOSFET 的源极附近、尽可能靠近。 电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平。 对于19-20V 输入电压、首选25V 额定值或更高电容。 20μF 3-4A 充电电流的典型值、建议使用10 μ F 电容。
陶瓷电容器显示了直流偏置效应。 当在一个陶瓷电容器上施加直流偏置电压时、这个效应减少了有效电容、就像在一个充电器的输入电容器上一样。 这种影响可能会导致显著的电容压降、尤其是对于高输入电压和小型电容器封装。 请参阅制造商的数据表、了解施加直流偏置电压时的性能。 可能需要选择较高的额定电压或标称电容值、以便在工作点获得所需的值。
我正在设计一个采用 BQ24725A 的项目、用24V 适配器提供的输入电源为4S 锂离子电池充电、但在考虑电压降额时、很难找到满足所需20uF 的陶瓷电容器。
该参考设计和 EVM 都指定了"电容器、陶瓷、10µF μ F、25V、10%、 X7R，1206"，但我发现所有的动态电容器在24V 时降额80%或更多，因此它们只提供大约4uF 的电容。
到目前为止、我发现的最佳解决方案是使用其中的6倍或8倍： psearch.en.murata.com/.../GRM31CR71H475KA12#.html 4.7uF 电容器、因为它们在24V 时仅降额至2.5uF
我还一直在考虑使用低 ESR (~40m Ω)铝聚合物电容器、但它们似乎更昂贵、通常可以处理更少的纹波电流或钽、但额定工作电压为我的2倍的钽(因此不太可能将其置于火状态)甚至更昂贵、 并且对纹波电流具有类似的限制。
我想听到的是任何人：
- 知道 BQ24725A EVM 上使用的电容器的特定器件型号
- 是否确实需要20uF 的输入和输出电容
- 我可能忽略过的指导或电容器建议
