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[参考译文] BQ40Z60EVM-578:学习周期故障- 3s2p

Guru**** 2331900 points
Other Parts Discussed in Thread: GPCRA0, GPCCHEM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/619700/bq40z60evm-578-trouble-with-learning-cycle---3s2p

器件型号:BQ40Z60EVM-578
主题中讨论的其他器件:GPCRA0GPCCHEM

我在学习周期中遇到问题。  我能够使用2s2p 成功完成该操作、但现在正在尝试3s2p 配置。  我无法获取更新状态以移动到超过04、并且我看不到任何 Qmax 更新或 Ra 表更改。  我的流程(基于 SLUA777和 Thomas Cosby 的其他论坛帖子的组合):

1)更新固件(4600_0_15)

2) 2)更新数据存储器和化学 ID

3) 3)开始记录

4) 4)连接电池

5) 5)发送复位、Gauge _EN、FET_EN、CHGR_EN -更新状态应从00移至04

6)将电池放电至空、并在设置休息前放松(速率不重要)

7) 7)将电池充满电、让我们放松、直到设置了 REST (制造商规格)-我希望根据 SLUA777将更新状态更改为05

8) 8)在 C/7放电单元格为空、让我们放松、直到设置了 REST -这是 Thomas 的另一篇文章说"更新状态"应移至05、但 SLUA777说为06

9) 9)将电池充满电、并让其放松、直至设置了休息

10) 10)在 C/7将电池放电、然后放松、直至设置了休息-  Thomas 的帖子指出此时为06。

感谢你的帮助。

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    您好、Russell、
    您是否在电量监测计中配置了3节电池的数量? 您是否为2p Pack 正确设置了设计容量? 您是否按照制造商数据表中的规定将电压放电至每节电池的最小电压。 您是否正确设置了电流阈值、即锥形电流、CHG 和 DSG 电流阈值以及退出电流?
    对于第5点、正确的顺序应为:

    5) 5)发送、监测计_EN、RESET、FET_EN、CHGR_EN -更新状态应从00变为04。 这将禁止在第一次放电期间发生电阻更新。
    最后、您的日志和 gg 文件将有助于查看正在发生的情况。

    谢谢
    Onyx
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    您好、Onyx、

    感谢您的回答。

    实际上、我使用的是4个 EVM、因此我为2s 配置和3s 配置了单独的电路板。  我将跳线放置了3秒。  我的 CC1为1、c0为0。  设计容量为660mAh (2x330)。  每节电池的最小电压为2500、但由于2p 配置、我将放电至2600。  放电电流为8、CHG 为20、QUIT 为3、锥形为49。

    我已在 该.zip 中附加日志和 gg (重命名为.doc)。

    e2e.ti.com/.../170820-1442-TLI-3s2p.doc

    编辑: 我需要注意的是、我们已将 R20替换为200m Ω 电阻器、以获得更精细的电流分辨率。

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    你(们)好
    我查看了您的日志文件、我发现如果设计容量在充电或放电方向通过了充电标准、则您不符合90%的要求。 在充电过程中、传递的电荷约为594mAh、而在放电过程中、传递的电荷约为551mAh。 您需要将电池放电进一步降至约2.5V、以使传递的累积电荷接近660mA 的90%。

    此外、R20是您的感应电阻器吗? 如果是这样、您可能需要修改 cc 死区、因为这也会影响 Qmax 更新

    谢谢
    Onyx
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    谢谢、Onyx。

    我将尝试从电池中获得更多的放电。 我认为 Qmax 的要求是37%、我不相信 FCC、因为它偏离了设计容量、而且学习周期尚未完成。

    R20是 EVM 原理图上连接到电流寄存器的感测电阻器的代号。 我一直在质疑 OCV 读数是否由于库仑计数器死区/偏移误差而被取消资格。 但我还不了解如何根据 TRM 中的以下说明对其进行调整:
    偏移误差-如果在从之前的 OCV 读数传递的时间内累积的偏移误差超过的1%
    设计容量、更新不符合要求。 偏移误差电流的计算方法为 CC 死区/感应
    电阻器值。
    在数据存储器:校准:电流死区:库仑计数器死区中、死区的单位为116nV、默认值为9。 原始感应电阻为10mohms、我们使用200m Ω。 如果我认为对于较大的电阻器、我需要类似的 CC 死区/感应电阻值、那么我需要从9变为180。 但是、较大的感应电阻器可提供更好的电流分辨率、因此这在我看来并不正确。 我是否正确理解了这一点?
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    DOD 要求的37%变化在更新状态= 06后生效。 在优化周期中、要求为90%。 R20是充电器的电流感应电阻器、而去带和 CC 去带不适用于该感应电阻器。 似乎您已更新受 R20影响的充电器参数。 我感到惊讶的是、它在这个低充电电流下也能正常工作。 在低电流水平下、该器件的电流调节效果不是很好。 当充电电流高于1A 时、它的工作效果更好。

    您仅充电至4000mV 是否有原因? 这也限制了 DOD 范围的变化。 如果无法获得更新 Qmax 所需的 DOD 更改、则可以使用日志数据并将其提交到在线 GPCRA0工具以查找 Qmax 和 Ra 表。 它会抱怨 DOD 范围、但有时它会继续提供结果。
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    我仅充电至4000mV 的原因是电池制造商将最大电压指定为4050mV-4100mV、经验表明、充电至4000mV 仍显示过冲至4050mV。
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    Onyx、

    我打开了充电和放电范围。  Qmax 在充电和放电方向通过 Q 时、我将获得超过600mAh 的电量。  但 FCC 保持在425mAh 左右。  我仍然看不到 Qmax 更新或更新状态将变为05。  我注意到、在 C/7放电期间、RDIS 位开始低电平、但在3800mV 左右变为高电平。  VDQ 位变为低电平。  NSFM 位也会变为高电平。  RSOC 在大约3200mV 时达到0、但放电继续降至2600 (或更低)。  我试图找到一些文献来解释可能导致这种情况的原因,但我运气不好。  我已经连续3周进行调整、但似乎没有取得任何进展。

    我正在运行另一个放电周期、完成后、如果有人有任何想法、我将发布日志。

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    RUP dis bit getting set 表示正在计算负电阻值、通常在您使用的 chem id 不是正确的 chem id 时发生。 您如何识别您的化学 ID? 您是否使用了我们的 gpcchem 工具? 如果您确信 chem id 是正确的 ID,请使用我们的 gpcra0工具获取黄金文件。 当 GPCRa0将执行监测计的操作时、无需额外花费时间尝试使学习成功。

    谢谢
    是的
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    Onyx、

    我从在线 GPCCHEM 工具中获得了化学成分。

    Chemistry ID 选择工具、rev = 2.24
    当前时基故障中使用的配置:
    ProcessingType=2.
    NumCellSeries=2.
    ElapsedTimeColumn=2
    VoltageColumn=12
    CurrentColumn=13.
    TemperatureColumn=11
    最佳化学 ID:1237最佳化学 ID 最大 偏差,%:1.07
    所有 ID 的汇总、最大值为 DoD 偏差低于3%
    Chem Id 最大 DOD 误差、%最大 R 偏差、比率
    1237 1.07 1.19
    最大 最佳 ID 偏差在建议范围内。 所选的最佳化学 ID 适用于对监测计进行编程。

    我不相信 CHEMID 是正确的、尤其是现在您提供了这样的解释。  此时您建议什么?

    谢谢。

    编辑: 我应该澄清、上面粘贴的结果适用于我的2s2p 板。

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    3节配置是否使用相同的电池类型? 如果相同、且2秒学习周期成功、则3秒也应成功。 此外,Gpcchem 工具通常还返回几个其他匹配的 chem ID。 如果您想让电量监测计成功学习、我建议尝试另一种方法。 我必须再次指出,您只需使用学习中的日志文件,然后将其输入 gpcra0工具,它就会为您提供一个可以使用的文件。

    谢谢
    Onyx