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[参考译文] UCC27511:驱动与单个栅极信号并联的 MOSFET。

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27511
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/645485/ucc27511-driving-mosfets-in-parallel-with-a-single-gate-signal

器件型号:UCC27511

我正在设计新的逆变器。 我将三个 MOSFET 并联放置在 变压器的上端、并希望使用单个栅极信号驱动这三个 MOSFET。

我想在电路中使用 MOSFET 驱动器 ucc27511。 我在电路中使用 N 沟道 STP160N75F3作为 MOSFET。

我对实现方案的怀疑是,MOSFET 的总输入电容是否会有问题。MOSFET 的输入电容似乎是6750pf。 因此、并联的净电容将为3 x 6750pf。 该电容值是否会影响 MOSFET 驱动器的正常运行? 电容值如何影响栅极中的振荡? 应采取什么措施来减少栅极中的任何此类振荡? MOSFET 驱动器最大电容与并联 MOSFET 的净输入电容之间是否有任何关系?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Dileep、

    欢迎使用 e2e、感谢您关注我们的产品!

    我们有多个低侧栅极驱动器、其电流能力高于 UCC27511。 您能否更详细地解释一下您选择该器件的原因以及您的使用条件? VDD、开关频率等? 在我们更好地了解您的需求后、我们可以为您的应用推荐最佳的 TI 器件。

    如果在每个 FET 附近放置单独的栅极电阻器、它们应该有助于减少栅极振铃量和并联 FET 之间的相互作用。
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    海东

    非常感谢您的回复。

    我正在设计一个新的逆变器系统。 我在上端并联了三个苔藓,在下端放置了三个苔藓。

    我在设计原理图时采用的方式是,高端(三个并联的 MOSFET)由单个栅极驱动器驱动,而低端上的三个 MOSFET 由另一个栅极信号驱动。

    如上所示。 栅极信号 GA1_MCU 驱动三个 MOSFET 栅极信号。 我将以100kHz 的频率切换此配置、施加到 FET 的最大 VDD 为50V、所有三个并联 FET 的总电流为75A。我主要怀疑组合电容(净电容) MOSFET 驱动器工作的三个影响是什么? 我们是否必须检查此类 MOSFET 并联的电路中每个驱动器的最大输入电容。 并联 MOSFET 是否会影响驱动器的工作? 如何选择一个能够与 MOSFET 的净电容良好配合的驱动器?

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    Dileep、您好!

    感谢您关注 UCC27511。 我是一名应用工程师、与 Don 在同一组工作、他将为您的问题提供帮助。

    我没有看到您之前的响应中显示的原理图、这表明控制器和栅极驱动电路的原理图。 有时、将文件附加到 E2E 比在消息中添加图片更容易。

    您能否确认驱动器的偏置电压、即 Vgs 峰值电压? 如果有与3个 MOSFET 并联的栅极电阻器? 正如 Don 提到的、我们建议添加此电阻、以帮助减少布局寄生电感产生的 Vgs 振铃。

    您使用的 MOSFET 的额定总栅极电荷 Qg 为85nC。 这3个 FET 并联会产生255nC 的总栅极电荷。 需要审查栅极驱动功率耗散、以确认是否存在 PD 或热问题。 请参阅 UCC27511 DS 第10.2.2.8节。

    驱动器功耗通过以下公式得出 :0.5 x Qg x Vdd x Fsw x (roff/(roff+Rgate)+ ron"(rnrON + Rgate))。 如果没有与栅极串联的栅极电阻、则驱动器中的总栅极驱动功率耗散、如果存在栅极电阻、则栅极驱动功率在栅极电阻和驱动器之间分摊。

    假设没有栅极电阻;驱动器偏置为10V、则驱动器功耗将为127mW、这不应成为问题 、但应确认 应用中没有问题。

    此致、

    Richard Herring