[参考译文] LM5175：似乎芯片偶尔会在故障条件下启动、从而导致高电流击穿或短路。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/630432/lm5175-it-appears-the-chip-can-occasionally-start-in-a-fault-condition-resulting-in-a-high-current-shoot-through-or-short

LM5175我们的应用电路主要从数据表中的应用中移除。 在此应用中、 FET 晶体管将电源从 系统的其余部分切换到稳压器。  故障情况似乎与将电源快速导通至28VDC 有关。 由于探头会减慢上升时间、我们还无法在检测到事件时捕获该事件。 我们的系统向直流/直流系统施加22至32VDC 的电压、当发生故障时、持续的功耗非常高、直至系统中的某个部件发生故障。 如果实验室电源足够大、系统保险丝将熔断。 否则、实验电源将通过降低电压来限制电流、从而破坏将电源切换到直流/直流转换器的 FET。

为了发生此故障、LM5175逻辑中的某个器件会使能错误的 FET、从而建立从 VIN 到返回的直接路径。 是否存在可由快速上升 VIN 跳闸的内部逻辑复位电路？