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您好，
在这方面、我正在设计具有 MOSFET 的电机驱动器、我对以下问题有点困惑
1.为什么有最大 Vgs 额定值？
2.它是否指示栅极氧化物击穿电压？
3.如果2正确，则等级也应适用于 VGD。
4.如果3是正确的，即最大 Vgs 也适用于 VGD：那么考虑到栅极和源极分类的 NMOS 及其最大电平的 Vds，与最大 Vgs 额定值相比，Vgd 将非常高( 通常最大 Vds >>最大 Vgs)。 因此、在这种情况下、也会出现电容器击穿。
感谢您的帮助。
－两个地方的 Saha
