[参考译文] BQ78350-R1：寄存器地址不匹配、并且在 bqStudio 的"Data Memory"选项卡下缺失寄存器。

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/619303/bq78350-r1-registers-addresses-do-not-match-and-missing-register-in-bqstudio-under-data-memory-tab

器件型号：BQ78350-R1
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO

您好！

《技术参考手册》告诉您将 Qmax 参数设置为正确、但 bqStudio 不会在"Data Memory"选项卡中显示 Qmax 数据。第164页的表中的技术参考显示 Qmax Pack 可从地址0x4280读取。使用高级通信来读取该地址会为我提供32个字节的0xFF。使用逻辑分析仪并读取所有数据、我发现正确的地址应为0x42C0。另外、pdf 中的一些其他注册人地址似乎错误(电池低电量)。

重新编码、在 pdf 中、它告诉我们如何使用块写入和块读取来更改 DataFlash 寄存器、但字节的顺序似乎是错误的。当我使用写入和读取序列(0x44块- 0xC0 0x42)从地址0x42C0手动读取块、然后读取0x44时。它向我展示了：0xC0 0x42 0x11 0x30… 等等。这对应于默认的4400mAh Qmax (十六进制0x1130)。写入后、我必须将其按相同的顺序放置、首先是高字节、然后是低字节、以使其正确。

我是否理解了错误或地址确实有错误？

此致、

Janar

8 年多前