This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS23754:第二侧 MOSFET 是否可以使用低 VDS 规格?

Guru**** 2333840 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP9563
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/618866/tps23754-can-the-2nd-side-mosfet-use-low-vds-spec

器件型号:TPS23754
主题中讨论的其他器件:PMP9563

我在下面提到了两种设计。

EVM-383 http://www.ti.com/lit/ug/slvu304c/slvu304c.pdf

PMP9563 http://www.ti.com/tool/pmp9563?keyMatch=PMP9563&tisearch=Search-EN-Everything

PoE /正向拓扑/12V 30W 输出

能否使用60V VDS 的 MOSFET 替代 EVM-383中的 Q5? (也是 PMP9563中的 Q6)

我在满载输出下测量了 VDS、峰间电压低于40V。

为什么 PMP9563使用100V VDS MOSFET?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Felix、

    感谢您的提问。 我可以在周一回来。

    Thomas A.
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Felix、

    对于 Q5、60Vds 应该正常。

    Q3应具有高 VDS、因为它在断电期间会遇到高电压和短占空比。

    谢谢、
    Thomas A.