This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMG5200:峰值输出 SW

Guru**** 2470720 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/659308/lmg5200-spike-output-sw

器件型号:LMG5200

大家好、我将 LMG5200用于新设计的 BLDC、并且在输出 SW PIN8上具有45vdc 的尖峰

因此、我在输入 HI 上具有 PWM 0/5Vdc、在 LI 上具有反向 PWM/ 、在 HS 和 HB 之间 具有电容器100nF  

和输入电压24V 直流, PGND 和输入电压之间的电容器是解决方案吗?  

此致  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Sidhoum、

    感谢您的信息。 45V 直流总线电压下的过冲电压为多少伏? 要实现小过冲、布局中需要注意两个事项:

    请将100nF 电容尽可能靠近 HS 和 HB 引脚、因为该电容是栅极驱动环路的一部分、并且需要较小的电感。

    请将直流总线电容器尽可能靠近 PGND 和 Vin 引脚。 此外、请尝试在最靠近引脚的位置放置一些小型封装、低电感陶瓷电容器(如0.1uF)。 这有助于降低环路电感、并在开关瞬态期间吸收 LC 谐振产生的高频噪声。

    谢谢、此致、
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的快速回复

    我的系统在24V 直流电压下工作、该 VIN = 24V 直流

    我将电容100nF 放在太靠近 HS 和 HB 的位置。 "我只使用陶瓷电容器50Vdc、电感较小

    我在 PGND 和 VIN 之间添加了 cap1=47uf 和 CAP2=100nF、所有电容器都太靠近引脚


    我现在的峰值高达43.12v
    以及其他高达-10.31v 的负尖峰

    HI 和 LI 这两个信号之间的死区时间是否是解决方案?

    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Sidhoum、

    这些电压尖峰看起来是两大值。 我将提出两项建议。

    • 请确保探测正确完成。 在引脚8 (SWT)和 PGND 之间进行测量时、请确保使用尾纤进行接地探测、而不使用无源探头的接地连接。 如果您使用探头的接地电缆、这会增加大量电感并导致振荡、否则不存在。 我们经常遇到这种情况、因此希望确保正确完成探测。
    • 除了连注释、如果是4层电路板、则应从中间层1返回电源环路。 这是为了最大程度地减小电源环路电感。 可在第17页的 LMG5200数据表中找到示例。

    请告诉我们您的进度。

    此致、

    Serkan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢大家 、我正在等待新的 PCB  

    此致