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[参考译文] LMG5200：第3个四次方运行时的导通损耗

admin
Guru**** 2330830 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/625531/lmg5200-conduction-losses-in-3rd-quadrand-operation

器件型号：LMG5200

你好

如何计算负电流的导通损耗？

是的

如损耗计算章节所示，PCOND=ID^2*RDS，ON

是不是

压缩=ID*(ID*RDS、ON + VSD)，VSD=3象限导通压降(如数据表所示)，也如图3 (第三象限导通)所示。

当 VSD=2V 时、损耗将会很大！

是否有反并联二极管、或 GaN 元件是否不需要这种二极管？ 如果有、正向电压与 Id 特性是什么？

使用这种非常大的 VSD、用户通常会采取什么措施来降低导通状态损耗？ 在封装外部安装反并联二极管？ 但是、集成解决方案的全部优势将会丧失！

此致

心搏

  • 0
    TI__Guru**** 2330830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    感谢您提出有关第三象限损耗计算的后续问题。

    要在第三象限导通事件期间获得瞬时功率损耗、请参阅数据表的图3：

    在已知的给定电流下，您可以外推电压并计算瞬时功率，方法是 PDT_INSTR= V*I。

    此事件的平均功耗必须乘以持续时间(实际上是死区时间)和开关频率，从而得出：

    PDT=V*I *TD*FSW

    如果您打算最大限度地提高效率、则应将死区时间保持在5ns 以下(我们通常使用的范围为2-4ns)。

    如果您无法修整死区时间、则器件所包含的最坏情况是最大 HO 到 LO 不匹配值8ns (这在所有条件下都是安全的)、典型值为2ns。

    请告诉我这是否能解决您的问题！

    谢谢你。

    此致、

    Alberto

  • 0
    TI__Guru**** 2330830 points
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    您好 Alberto

    感谢您的耐心！
    那么、这是否意味着第三象限导通仅在死区时间期间适用、即没有任何 FET 导通？
    在 FET 导通期间、负电流的导通模型是什么？ 那么、它与正电流的 RDS、ON 是否相同？
    即 uds=rds、on *id

    此致
    心搏
  • 0
    TI__Guru**** 2330830 points
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    您好、

    完全没问题！

    您的理解是正确的。

    "第三象限导通"仅适用于在 FET 关断时(即死区时间内)从源极到漏极传导电流的情况。

    如果 FET 导通，Rdson 与电流成对称，在正负方向上产生 VDS=Rdson (正如您所写的那样)。

    如果您有任何疑问、请告诉我！

    此致、

    Alberto