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[参考译文] LM5050-1-Q1：MOSFET RDS_ON 计算

admin
Guru**** 2328790 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/624770/lm5050-1-q1-mosfet-rds_on-calculation

器件型号：LM5050-1-Q1

您好！

  在数据表中、8.1.1 MOSFET 选择、

 在第5项上进行了 MOSFET Rds-on 计算。

 (22mV/ID)<= RDS_ON <=(100mV/ID)

  "100mV"的作用是什么？ 数据表中没有关于此100mV 的额外说明。 那么、为什么是100mV？ 如果使用大于100mV 的数字进行计算、是否会产生副作用？

 

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    TI__Guru**** 2328790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    1.22mV/ID <= Rdson
    如果 VSD >22mV、线性 ORing 控制器将漏源电压调节为22mV。
    为了使器件在稳压下运行、Rdson * ID > 22mV 稳压三保持额定值、否则它将永远不会处于稳压状态、并且选择尺寸刚好合适的 FET 会丢失、从而可能导致对具有极低 Rdson 的大尺寸 FET 进行振荡。

    2. Rdson >=100mV/ID
    这是一条指南。 如果选择了更高的 Rdson (非常小的 FET)、则可以达到热功率耗散限制、并且还可以打开体二极管。

    此致、
    Kari。