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[参考译文] TIDA-00364:此设计对12v 电源的要求是什么? 最大电流? 稳压?

Guru**** 2328790 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27212, UCC27211, TIDM-1003, TIDA-00364, CSD19536KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/624542/tida-00364-what-are-12v-power-supply-requirements-for-this-design-max-current-regulated

器件型号:TIDA-00364
主题中讨论的其他器件:UCC27212UCC27211TIDM-1003CSD19536KTT

大家好、具体来说-在本设计中、为驱动并联 MOSFET、外部电源12v 有哪些要求? 最大电流? 稳压?

一般而言、我想了解如何确定12v 电流要求、以驱动许多参考设计中使用的 TI UCC27211/UCC27212栅极驱动器。

另一个是使用同一 TI 前置驱动器芯片的 TIDM-1003。   12V 电源是外部电源、但没有提及电流要求。

提前感谢您的任何帮助

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    您好!
    我是 TI 的一名应用工程师、将致力于帮助回答您的问题。 我可以就如何确定栅极驱动器和特定 MOSFET 的栅极驱动器电源所需的偏置电流提供建议。
    有关 TIDM-1003和 TIDA-00364的更多详细信息、请开始有关这些特定设计的新咨询、以便与更熟悉这些设计的工程师进行交流。
    有关栅极驱动器要求、请参阅 UCC27212数据表第8.2节、了解典型应用设计。 栅极驱动器电流要求将包括 Iq、驱动器的静态电流以及驱动 MOSFET 电荷所需的平均电流。 设计信息指示如何计算 PG 或栅极驱动功率;对于电流、只需移除 VDD 项即可确定平均电流。 MOSFET 的总栅极电荷 Qg 通常在数据表中指定。

    此致、
    Richard Herring
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    感谢您的回复、
    尝试应用秒 8.2使用 TI NexFET csd19536ktt -总开关栅极电荷 Qg = 153nC 最大值或0.000000153 C、而此 TIDA 中使用的开关频率为10kHz:
    Pdiss ~仅开关有效 PSW = Qg x Vdd x Fsw = IG x Vdd、因此电流 IG = Qg x Fsw =(库仑) x (Hz)=安培
    因此、最大栅极电荷下的充电平均电流 IG = Qg x Fsw = 0.000000153C x 10000Hz = 0.00153A
    这不是正确的... 如果不是栅极电容的充电/放电、4A 灌电流和4A 拉电流的输出电流是多少? 请在此处指出错误
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    此外、此 MOSFET 栅极充电不是电源 Vdd 的唯一消耗器件、但自举电容器也通过栅极驱动器芯片从 Vdd 充电、因此您所指出的部分仅是栅极驱动器芯片中 Vdd 电源使用情况的一部分...
    如果我错了、请纠正我的问题
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    您好、Vlad、
    对于驱动 MOSFET 栅极的功耗或总栅极驱动功率耗散、耗散的功率与每个周期上充放电的电压以及栅极驱动器负载的有效电容有关。
    MOSFET 栅极的充电和放电速率实际上不会改变与有效电容的充电和放电相关的功率。 在10kHz 应用中、4A 峰值栅极驱动器电流将具有极低的占空比、这将导致相对较低的平均电流。
    对于 VDD 电流的附加消息、也会为自举电容器充电。 传输到自举电容器的功率将为高侧栅极驱动提供 HB IQ 电流以及栅极驱动能量。
    回顾一下后、我发现 UCC27212第8.2节并不具体说明栅极电荷 Qg 确实需要包含高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 的栅极电荷。 驱动器 MOSFET 负载的总栅极电荷。
    静态电流也将为 IDD + IHB。
    在您的情况下:如果 LO 和 HO 都驱动153nC 栅极电荷、则为10kHz 的 Fsw。 栅极驱动相关电流为2 x 153nC x 10kHz = 3.06mA。 IDD 和 IHB 为140uA + 1uA (最大值)。 总电流为~3.071mA。
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    感谢 Richard、我开始更深入地了解 Vdd、HO、LO、HB 和 MOSFET 栅极之间相同总电荷量的抖动是如何发生的。 我漏掉了指定的灌电流和拉电流速率意味着仅在低占空比下达到峰值、不是平均值、也不是 RMS。
    因此、驱动非常强大的逆变器级(电机线圈的连续输出为130A)的驱动器在每个逆变器块的12v 电源中仅使用3mA、在所有3个相位中总共使用12v -> 9mA!
    请确认我现在已正确:)
    再次感谢
    BTW:此 TI 逆变器参考设计是独一无二的-互联网上没有其他高功率电机驱动器示例、从前置驱动器到并联 MOSFET、可实现高电流。 我很高兴 TI 这么做了。