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[参考译文] LM5121-Q1:高功率解决方案

Guru**** 2411370 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122, LM5122-Q1, LM5121

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/655276/lm5121-q1-high-power-solution

器件型号:LM5121-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5122LM5122-Q1LM5121

您好!

 我需要针对专用于汽车音频系统的电源部分提出建议。

最关键的条件是 Vin=10V、Vout=34V、Iout=20A。

您是否有具有具有这些参数的参考设计或/和 TINA 仿真?

我建议使用多相 LM5122、但由于成本原因、我不确定这是否会被接受。

谢谢

Umberto

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    我们有一个参考设计、其中采用多相 LM5122-Q1、仅适用于汽车音频放大器、通过简单的外部电路实现包络跟踪。 有关详细信息、请联系 Max Dai (x-dai@ti.com)。
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    感谢您提供信息。
    但是、在您看来、LM5121在给定输入电压、输出电压的情况下可实现的最高输出电流是多少?
    Umberto
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    对于单个器件、LM5121和 LM5122可以处理相同的功率。 但是、由于驱动器能力为3A、因此一个器件无法轻松提供680W 的负载功率。 需要多相、因此应选择 LM5122。
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    很抱歉、我可能会误解您的问题。 LM5121/LM5122均可提供高达200W 的功率。
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    谢谢、但假设您为每个外部 MOSFET 添加了一个 PNP/NPN 级以提高驱动能力、我们是否可以达到>500W?
    Umberto
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    从理论上讲、答案是肯定的、但需要考虑一些因素。

    (1) LM5121/22使用自适应死区时间方案。 内部驱动器相互交叉检查对方的输出、以避免外部高侧和低侧 FET 相互导通。 添加外部驱动器会使自适应死区时间方案失效、并且可能会发生外部 FET 击穿。

    (2)单相的输入电流将很高、您必须选择一个非常小的电流感应电阻器。 在低于满负载但仍处于合理水平的情况下、电流感应信号将变得非常小、从而会受到噪声影响。

    (3)集中热问题。

    顺便说一下、您是否解释了为什么您更喜欢 LM5121而不是 LM5122?
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    您好、Youhao、

     出于成本原因、客户希望使用单级、而 LM5121提供输入断开电路。

    我解释说、700W 的功率是无法实现的、现在他们正在重新考虑规格。

    我开始使用 TINA 和随附的文件进行一些仿真、但有些结果对我来说不太清楚。

    您能否检查并运行瞬态分析?

    谢谢

    Umbertoe2e.ti.com/.../webench_5F00_design_5F00_26664_5F00_884.tsc

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    尊敬的 Umberto:

    很抱歉、这被忽略了。 如果回复延迟、您可以随时向我发送电子邮件。 无论如何、我们不建议将 LM5121用于700W 应用、因为它不合适、我们无法支持此类应用。 在这两个选项之间、L5122是实现多相共享的方法、您可以使用 LM506x 系列中的热插拔器件进行负载断开控制。

    谢谢、
    Youhao