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[参考译文] CSD25481F4：栅极源极二极管规范

admin
Guru**** 2328790 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25481F4
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/623729/csd25481f4-gate-source-diode-specifications

器件型号：CSD25481F4

我们在系统中使用 CSD25481F4 P MOSFET。

我们的设计实现方案使用栅极-源极二极管来实现低电流(大约50mA 或更低)。 数据表中没有关于该二极管的任何规格。

我想请求二极管在1mA 至50mA 范围内的 Vf 规格。

我还希望在大约5V 的电压下请求该二极管的反向偏置泄漏。

 

谢谢！

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    TI__Guru**** 2328790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您请求的数据已在电气规格表的"二极管特性"部分以及图9中提供、图9分别显示了125deg 和25deg 下、二极管两端的正向压降、分别为1uA 至1A。

    在5V 电压下、您将在大约10A 时使二极管饱和、并将向 FET 耗散50W -这会消耗大量功率、并且 FET 可能会在您到达该 FET 之前很久老化。
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    TI__Guru**** 2328790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Brett、

    感谢你的答复。

    请注意、我正在请求有关栅源极二极管的数据。 数据表表表和图9提供了有关漏源极二极管的数据。 没有有关 GS 二极管的数据。

    另请注意、上述5V 用于 GS 二极管的反向偏置。 源相对于源更积极。 由于这是一个低功耗应用、我们需要知道该二极管的反向泄漏。

    超过100nA 的电流将是我们的电池的一个问题、并会影响电池寿命。 如果有任何有关反向偏置下二极管的数据、请提供。 温度依赖性非常有用、因此我们不必在多个器件上自行进行测量。

    谢谢！

    －Sumukh

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    Sumukh
    我很抱歉。 显然、我读取您的初始帖子的速度太快。

    我们尚未对这些信息进行描述、因此让我看看这是否是团队可以测量的内容。

    我相信数据表中提供的 IGSS 泄漏电流(50nA)是您在第二个问题中提到的值。 我们无法保证任何低于该值的值、但它低于100nA、因此我认为您应该在这方面做得好。
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    TI__Guru**** 2328790 points
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    Brett、

    谢谢！ 50nA 将会很好。 我们将尝试对其进行测量并确认！

    请提供有关 GS 二极管 VF 的任何数据！

    －Sumukh

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    Sumukh
    我正在研究这是否是我们可以描述的特征。 我很快会回来。