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[参考译文] LM5122-Q1：升压高侧开关二极管替代产品

admin
Guru**** 2328790 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/624370/lm5122-q1-boost-high-side-switch-diode-replacement

器件型号：LM5122-Q1

我正在开发具有以下特性的升压转换器设计：

Vinmin = 6.2V

Vinmax = 8.2V

Vout = 12V

Iout = 4.5A

Fsw = 500kHz

我想知道是否可以在不损坏或影响控制器的情况下用二极管替代高侧开关 MOSFET？

提前感谢您的帮助

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    TI__Guru**** 2328790 points
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    你(们)好
    这很有可能。 请将 SW 连接到 PGND、BST 连接到 VCC 并将 HO 保持悬空。
    此致、
    EL
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    TI__Guru**** 2328790 points
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    你(们)好
    感谢您的快速响应。 我假设控制器也应该处于二极管仿真模式？
    此致、
    Donald
  • 0
    TI__Guru**** 2328790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好
    没关系、但二极管仿真似乎更有意义。
    此致、
    EL