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[参考译文] 低 Iq 3.3V LDO 选择

Guru**** 2409980 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/660327/low-iq-3-3v-ldo-selection

尊敬的:

我们的 CTM 希望我们选择具有相似 IQ 并采用 TPS78233DRV 封装的低 Iq、3.3V、10mA+ LDO。

输入电压为2.8V~3.9V;

请求是:

当输入电压低于3.3V 时、输出与输入电压相同、Iq 仍然很低。

当输入高于3.3V 时、输出为3.3V。

可以提供一些建议吗?

Sundy Xie

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Sundy、

    遗憾的是、随着 LDO 处于压降状态(尤其是当 Vout 接近设定的稳压电压时)、Ignd 会随着 LDO 尝试达到稳压状态而增加。 根据您的要求、您似乎有一个电池应用、并且正在尝试最大限度地延长电池寿命。 这些应用通常可以从 LDO 前面的降压/升压中受益。 虽然这可能会增加一些复杂性、但您可以通过使 LDO 不受压降的影响来最大限度地延长电池寿命。 此外、LDO 的 PSRR 将有助于清理降压/升压的开关频率。

    非常尊重、
    Ryan