[参考译文] TPS65910：VIO 上的纹波电压

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/622927/tps65910-ripple-voltage-on-vio

器件型号：TPS65910

TI 用户好、

问题是 PMIC TPS65910在 VIO 稳压器的输出端具有高纹波电压。

您甚至可以听到它、因为频率大约为15kHz (请参阅图片)：

我不明白为什么我的 VIO 有这个问题、而不是其他直流/直流稳压器(VDD1和 VDD2)有这个问题。

根据数据表、我使用了完全相同的组件(L 和 C)。

使用的2.2uH 电感器如下：

使用的电容器具有10uF (X5R)。

您是否有说明稳压器之间电压纹波为何不同？

BR、

Christian

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2782445 points

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尊敬的 Christian：

我会将您的问题分配给 TPS65910专家、我们会再给您。

此致、
Juha

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2782445 points

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尊敬的 Christian：

如果 VIO 电压为3.3V、则+/- 35mV 约为1%、这在脉冲跳跃模式下是完全预期的。即使它被设定为1.8V、这仍然在3%以内。如果您需要更低的纹波、那么设置 VIO_PSKIP = 0b 应该有助于减少纹波。此外、增大输出电容可能会产生一些影响。如果您还有其他问题、请务必包含您正在使用的 OTP (即 TPS65910A31)。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2782445 points

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大家好、Kevin、

非常感谢您的快速回答。

我使用的是65910A31A1RSLR、因此 VIO 电压为 DDR3 RAM 提供1.5V 电压。

通过设置 VIO_PSKIP = 0b、可以减少纹波、但电源电压更高。是这样吗？

默认情况下、VDD1和 VDD2的 PSKIP 也会启用。为什么纹波电压与 VIO 有差异？

电容器增大时的建议值：

在 DDR3 RAM 的+1、5V 路径中、正如我写的那样、线圈之后是一个10uF 电容器。

并联有超过20 0.1uF、8 220nF、两个10uF 和两个22uF 的电容器。在布局中、它们都非常靠近 PMIC (最远2.5cm)。

您认为这还不够吗？

随着电容器的变化、开关频率也在变化。

BR、

Christian

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2782445 points

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尊敬的 Christian：

这种行为是正确的。 PSKIP 将器件置于低功耗迟滞模式、在该模式下、电压具有更宽的纹波、但电流消耗会下降、因为它会在跳过的脉冲期间关闭高侧和低侧 FET。

如您所知、在 PSKIP 模式下、将电容增加到超过建议值不会改善纹波、因为它是在磁滞模式下运行、它只是改变脉冲之间的时间(电容越大、意味着负载放电需要更长时间、因此脉冲频率会降低)。这听起来像是有足够的电容；如果您的电压低于10uF、则可能会发生过冲、但这不是问题。

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