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[参考译文] TPS65530:FBG7/8

Guru**** 2358920 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24196, TPS65530
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/617511/tps65530-fbg7-8

器件型号:TPS65530
主题中讨论的其他器件:BQ24196

 尝试让 TPS65530充满活力。  它由 BQ24196驱动、因此 VSYS 为3.3-4.3V (4.3V 标称值)。  看起来好像我没有进入 PWM 模式、大约1mSec 后、我注意到控制 FBG7/8的 MOSFET 关闭、迫使 FB 进入 PS 轨。  数据表中没有提到 FBG7/8的功能或控制方式、因此我不知道为什么会发生这种情况。

我随附了我的实施、并提供了可能有用的范围捕获。

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    我还应注意、Q1周围的连接已更正:

    此外、BRD_SLEEPn 连接到 VSYS (4.3V)

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    您好、Rolf、

    首先、您能否更新错误的原理图? 通道8是内部的升压控制器。 但在您的原理图中、它是降压。
    其次、FBG7/8是 CH7/8反馈电阻器的 GND。 内部有 MOSFET 与 GND 相连。 您能否检查 XSLEEP 和 ENAFE 的波形?
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    非常感谢。 我在电子邮件之前发现了降压/升压问题(在我的一个回复中进行了更新)。 AFE 通过100K 下拉电阻器连接到低电平、而 XSLEEP 连接到 CSYS (4.3V)。

    FBG7/8的 MOSFET 由什么控制?
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    随附更新的工程图

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    VREF 永远不会超过500mV。

    是否可以将此问题升级或展开更直接的对话?
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    FBG7/8的 MOSFET 由什么控制。  数据表中未对此进行说明。

    这是一个问题、现在正处于开发计划的关键路径上。  是否有任何机制可以避免消息中继延迟?

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    R45实际上是10k (fyi)
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    将 LL8电流电阻器降低到10欧姆可纠正此问题。 如果 TI 不提供支持、本可以加快这一速度。 遗憾的是、在设计下一个项目时、我会考虑到这一经验。
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    不。 FBG7/8始终为1V、但电压是切换的。
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    有人可以给我发送一个完全可操作的电路板的原理图示例吗?
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    事情只能勉强进行。 如果我尝试使用 DVM 在 FB8处进行测量、芯片停止调节10倍中的9倍。 我在上部 FB 电阻器上添加了一个100pF 电容器以使其稳定。 继续。
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    你好吗?????
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    有任何疑虑?   您可以遵循如下所示的 sch。

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    这直接来自数据表。 省略电阻器的值(例如)。 最初为1K、但我将其降低为10欧姆电阻、这将电流限制为500mA、低于峰值开关能力。

    希望获得真正的应用数据表。