BQ27220校验和计算：
我尝试使用外部 MCU 写入 I2C 命令、将 BQ27220的设计容量从默认的3000mAh 设置为13200mAh、以更新 BQ27220的 RAM 区域。 但是、当我按照 bq27220技术参考手册(sluubd4.pdf) www.ti.com/.../sluubd4第6章 TRM 中描述的16个步骤操作时。 但是 、如果我按照其中的步骤操作、则回读数据是错误的。
然后、我在这里找到了论坛讨论：Bq27220：无法更新数据存储器参数 e2e.ti.com/.../585243
我按照以下所述的步骤操作：
“更新：使其正常工作！ 示例中存在错误、在步骤8之后、您需要重复步骤5和6、否则参数地址中存在0x0200偏移量。 当您读取 dataLen 时、地址指针会改变、您不再处于正确的位置。 用于写入数据存储器的 TI 文档非常差、很难理解其工作原理、因为"3.1访问数据存储器"一段是错误的、只是其他电池电量监测计的复制/粘贴..."
这次、我让它演示了13200mAH 的正确设计容量。 我希望 TI 能改进 bq27220技术参考手册、以便在示例中显示正确的步骤。
我遇到的另一个问题是校验和计算：
我对校验和计算有点困惑。 到目前为止、我找到了两种计算校验和的方法：
方法1)校验和为(255–x)、其中 x 是每个字节上的 BlockData（)(0x40至0x5F)的8位总和
基准。
方法2)计算新校验和的快速方法使用数据
使用新旧数据求和字节替换方法。
请参阅所示方法的代码。
temp = mod (255–old_Chksum–old_DC_MSB–old_DC_LSB、256)；
new_Chksum = 255–mod (temp + 0x04 + 0Xb0、256)；
我使用这两种方法来计算校验和、但我不明白为什么我使用这两种方法来获得不同的校验和。 我不确定它们是否应该最终得到相同的校验和。 是否有专家对此进行确认？ 让我来向您展示我的计算方法：
方法1：
这是 blockData (0x40到0x5F)：0b B8 03 84 0e 74 00 64 0e 9f 00 95 03 63 0f be 01 3c 09 00 0b D7 01 0d 39 01 0d AD 01 10 4D
我得到校验和= 0xD2、在寄存器0x60读取的校验和为0xA1。 我不理解如何计算该校验和。
方法2：
我使用方法2计算校验和、结果与0xA1匹配。 [ temp==MOD (((255-161-11-184)、256)= 155、new checkS=255 -[MOD ((155+51+144)、256)]= 255 -94 =161 (0xA1)、这与我从寄存器0x60中读取的内容相匹配。
我的问题是、为什么使用方法1计算校验和 时出现错误的校验和？ 我是否确实再次读取了错误的寄存器？？？
此致、
公里/小时
