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[参考译文] UCC24630：短路保护

admin
Guru**** 2350610 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28600, UCC24630
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/615714/ucc24630-short-circuit-protection

器件型号：UCC24630
主题中讨论的其他器件：UCC28600、

我们正在使用 UCC28600设计40W 的反激式电源。 我们将 UCC24630用作同步 IC。 我们观察到、在短路负载情况下、反激式 IC 将进入突发模式。 但此时 UCC24630的 DRV 会被禁用、这会导致 MOSFET 的体二极管短路。 这会导致 MOSFET 在短路情况下升温。 我们能否知道在短路情况下为何禁用它、以及是否有方法使 MOSFET 驱动器与反激式 IC 的突发模式保持同步运行。

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    TI__Guru**** 2350610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Siddartha、

    我假设在您的应用中、UCC24630 SR 控制器由数据表中显示的正常 SR 实现方案的输出供电。 当控制器的 VDD 电压降至3.6V (典型值)以下时、控制器停止运行、这是输出短路时发生的情况。

    为了防止 UCC24630的 VDD 电压损失、它必须从输出之外的其他位置获得电源、并且在输出短路时不会损失所有功率。 由于 UCC28600在短路情况下会继续突发、因此它会切换变压器。
    假设采用了低侧 SR、则可以在初级侧导通时间开关期间为 UCC24630 VDD 电容器充电、方法是通过二极管和电阻器将 VDD 连接到 SR 晶体管漏极。 由于 SR 漏极电压在一次侧导通期间变为高电平、此高电压可通过电阻器为 VDD 电容充电、电容可存储足够的电荷、以便在突发脉冲之间穿越死区时间、从而使 SR 控制器在短路情况下保持工作状态。

    如果输入电压范围非常高、则可能需要在 VDD 电容器上添加钳位齐纳二极管、或使用线性稳压器替代串联电阻器、以防止 VDD 处的电压在高输入线上超出其最大额定值。

    另一个要考虑的选项是测量 SR MOSFET 在短路条件下的最坏情况温升、并确定其是否过热或是否处于可接受的限值内、而不必进行任何设计更改。 如果过热、最小的变化可能是在 SR 控制器未通电时添加一个与 SR FET 并联的肖特基二极管、以将短路电流分流到远离 FET 的位置。 假设肖特基损耗较小、温升应较低。

    另一种选择可能是调整 UCC28600 VDD 电容器和启动电阻器的值、以尝试在短路情况下减少突发占空比。 本质上、使 VDD 电容尽可能小(不影响任何其他功能)、以最大限度地减少突发持续的时间、并增加启动 R (如果可能)以延长重启时间。

    我希望这些想法能帮助您解决您的问题。

    此致、
    Ulrich
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    TI__Guru**** 2350610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Ulrich、

    感谢你的答复。 我们没有驱动数据表中所示的 IC。 相反、我们在反激式变压器中使用辅助电源。 我们在短路情况下测量了 Vdd、它大约为12V 至13V、处于 IC 的工作范围内。 考虑到为什么我看不到反激式 IC 上出现的相同突发脉冲？  

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    TI__Guru**** 2350610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Siddartha、

    感谢您澄清 VDD 情况。 在这种情况下、我相信 SR 控制器被禁用、因为 VSC 输入电压低于~250mV 的 Vvscdis 阈值、这是有道理的、因为输出被短接。
    如果您可以找到一种防止 VSC 输入下降到300mV 以下的方法、则应使控制器保持启用状态。 我想、VSC 分压器底端的固定失调电压或从侧面耦合的二极管可以实现这一点。

    在短路期间、初级侧导通时间伏秒(缩放)存储在 VPC 输入端、VSC 电压将设置 SR 导通时间。 由于 Vout 几乎为零、因此反激式变压器的退磁时间以及 SR 导通时间将非常长。
    在 VSC 上具有300mV 偏移的效果将缩短 SR 导通时间、因为 VSC 电压高于理论上应该的值。 请注意这一点。 但是、在降级周期的高电流部分、导通时间更短比完全不导通时间更好、并且有助于减少 SR MOSFET 中的发热。

    请尝试添加偏移量、以查看它是否有助于缓解您的问题。 注意：如果将偏移添加到 VSC 分压器的"脚部"中、则在正常条件下仍将存在偏移、这将影响正常时序并使其更短。 为避免这种情况、将失调电压与二极管耦合会在 Vout (和 Vvsc)为低电平时出现失调电压、并在 Vout (和 Vvsc)为高电平时消失。 二极管在正常运行期间会反向偏置、在短路情况下会正向偏置。
    希望这对您有所帮助。

    此致、
    Ulrich