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器件型号：LM5175 Vin = 18 - 36 V 直流
VOUT = 40Vdc I OUT 范围0 - 4A
在 CCM 和断续模式下、MODE 引脚端接93K Ω。
150kHz
L=12uH
如果 Vin 降至大约24Vdc 以下并且输出负载大于2A、 则 HDRV2 (升压高侧栅极驱动)停止对大量单元工作。
但是、某些电路板以相同的方式构建、可以正常工作、从而更大限度地降低输入电压和最大负载。
这是非破坏性的、如果负载降低或 Vin 升高一个位、则可以恢复并正常工作。
上部升压 MOSFET 的 S-D 上有3A 肖特基二极管、即使上部 HDRV2停止、流过该二极管的电流也是连续的、但当并联 MOSFET 未导通时、功率效率是不可接受的。
似乎该单元正在从 CCM 模式切换到 DCM 模式、以通过关闭高侧升压栅极驱动来防止电流反向流动。 但 Mode 引脚可正确测量1.8V 直流电压。 我们怀疑 Mode 引脚上的噪声会将其提升至不同的模式、因此在93K 上添加了一个100pF 电容、以将500mVpk-pk 噪声降低至低于100mVpk-pk、但没有任何好处。
此外、还怀疑高侧驱动器上的 UVLO 可能会由于自举电压过低而阻止栅极驱动。 但自举电压仍然比 SW2节点高6.5V、这是应该的。
自举电容为0.1uF Vcc 旁路为1.0uF 当自举电容拉至低电平以补充其电荷时、在 Vcc 上可以看到纹波。 尝试在1.0uF Vcc 旁路上加倍、甚至尝试10uF、但也没有任何好处。
VCC 为 IC 内的许多功能块供电。 Vcc 上的噪声是否会影响这些功能？ 我们还可以寻找其他任何根本原因的想法吗？ 谢谢。
