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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/615469/lm5116-using-gan-switches
大家好、我有一个使用标准 Si MOSFET 的工作设计。 为什么我无法采用相同的工作设计并使用 GaN 开关替换 Si MOSFET？
感谢你能抽出时间！
David
尊敬的 David：
感谢您的关注。
通常、只要您确定具有相似 BV 和 Rdson 的 FET、就始终可以将设计从硅转换为 GaN。
通常、这将导致能够在更高的频率下运行并提高效率。
将设计从硅器件转换为 GaN 时需要注意的两个主要因素是：
增强模式 GaN 的栅极电压限制要低得多、在大多数情况下最大电压为5-6V、过压能力很小
eGAN HEMT 没有体二极管、而是在大约2V 时偏置、因此将死区时间降至几纳秒变得很重要。
我们开发了经过优化可与 GaN 配合使用的驱动器、以实现无缝转换。
我们的产品包括：
LMG1205 (100V 半桥驱动器)
2. LM5114 (低侧驱动器)
3. LMG5200 (80V 半桥模块-驱动器和 FET)
4. LMG3410 (包含驱动器的600V GaN FET)
如需了解更多相关信息、请访问 我们的产品页面。
如果您有任何其他问题、请告知我们！
此致、
Alberto
