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[参考译文] LM25116:希望了解 pic 连接

Guru**** 2375230 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25116, LM5116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/640730/lm25116-would-like-to-know-about-the-pic-connection

器件型号:LM25116
主题中讨论的其他器件: LM5116

尊敬的先生/女士:

我正在研究一个为实验室应用开发受监管电源的项目。 在我的设计中、我使用的是降压控制器 IC LM25116、它具有高 HO、低驱动 LO 和开关 SW 引脚。 但在我的设计中、我使用推挽放大器电路来驱动 N 沟道 MOSFET 的高侧、为了提供保护、我在推挽电路之后使用了脉冲变压器、然后从脉冲变压器到 MOSFET 的栅极驱动。 因此、在这里、我只需要使用控制器的 HO 引脚、我不知道其他引脚是如何连接的。 很好、很感谢您提前给出的答案。

此致、

瑞典

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    LM25116:希望了解未使用的引脚连接
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    您好!


    您是否仍需要将 HO OUT 电平转换到高于 Vin 的水平以驱动 NCH MOSFET? 或者您是否要求 HO 高于 GND?



    您是否有一个基本原理图、说明我在严格遵循流程时遇到困难时要做什么?

    提前感谢。

    David。
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    您好!

    是的、我确实需要 HO 引脚来驱动 N 沟道 MOSFET。

    此处、控制器 HO 引脚连接到推挽放大器电路、其输出连接到脉冲变压器(以防止高侧开关)、脉冲变压器的输出连接到 N 沟道 MOSFET 的栅极。 其余的引脚(如 LO、SW (控制器))仍保留在此处、这些引脚将连接到哪里? 如果这些引脚保持未连接状态、会发生什么情况?

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    您好!

    从上面的原理图中可以看出、您似乎只需要将 Q1和 Q2基准驱动至 GND、而不需要将 HO 设置为高于 VSW 的 VCC。  您正在使用栅极驱动变压器驱动功率 HS FET ...因此、请使用 LM5116执行以下操作。

    1.将10k 从 LO 到 GND 放置、因为它未在使用中...

    2.将 SW 节点接地

    3.将 HB 连接至 VCC

    4.在续流器件(二极管)的低侧仍需要一个串联电阻器。

    4A。  因此、将 Rsense 放置在 D1的阳极上。

    4B。 将 Rsense +连接到 CSG

    4C。 将 Rsense -(GND)连接到 CSG。

    希望这对您有所帮助?

    David Baba。

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    您好!

    引脚 Vout 表示、需要直接连接到输出端、但在我的设计中、该引脚上会出现高电压。 如果它浮动、会发生什么情况?

    瑞典

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    Vout 引脚需要连接到 Vout、其额定电压为100V、该引脚不应悬空。   LM5116是一款仿真电流模式控制器。   也就是说、电流不 是直接感测的、而是使用采样保持电路使用输入电压、输出电压和低侧 FET 中的电流来重建。  您可以将 Vin 和 Vout 引脚连接到低于100V 的较低电压。  将在重建电流的斜率中产生误差。