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[参考译文] LMG5200:使上部 GaN FET 无限期导通

Guru**** 2405335 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/657811/lmg5200-keeping-upper-gan-fet-on-indefinitely

器件型号:LMG5200

如果我想长时间保持 lmg5200的输出为高电平、自举将会衰减。 那么、我是否可以在自举电容器上放置一个5.2伏的齐纳二极管、然后将一些电流释放到 HB 引脚、并使上部 GaN FET 无限期导通?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nicholas、您好!

    感谢您关注 LMG5200。

    您刚才所述的方法只能部分工作、这是因为要完全导通 HS FET、您需要能够将栅极保持在高于源极5V 的水平。 一旦 FET 导通、漏极和源极电压相等(即、对于高侧 FET、您将获得总线电压)、您的栅极将低于此电压5V。

    这将导致 FET 在通道中保持一定水平的电阻、以保持压降、从而允许~6V 压降。

    为了确保正常运行、您需要生成高于 HS 的5V 基准。 如果长时间不能使用自举、解决方案可以是:

    调整 HB 电容器的大小、使其保持高于 UVLO 的变化、达到最大导通时间

    2.使用隔离式电源

    3.使用电荷泵

    4.使用您描述的方法、但使用比 Vin 引脚至少高5V 的电压。

    希望这对您有所帮助、但如果您需要进一步的帮助、请随时回复此帖子。

    此致、

    Alberto