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[参考译文] LM53600-Q1:LM53600-Q1结温近似值?

Guru**** 2406660 points
Other Parts Discussed in Thread: LM53600-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/657226/lm53600-q1-lm53600-q1-junction-temperature-approximation

器件型号:LM53600-Q1

团队、

如何估算 LM53600-Q1的结温? VIN=16V、Vout =5V、Iout =600mA 最大 让我们忽略下面图2中显示的开关损耗、我认为不准确(Pswf 和 Pswr)。 如果我只是比较 I^2*R 损耗(Pctrl 是 psfet、Psync 是 LS Pls 的总估算功耗为75mW)、我将计算出 WebBench 所估算的350mW 功率损耗附近的位置(图1)。 在 Webench 中、我可以仿真的最大负载为500mA、我认为这低于我的估算值。

我是否正确执行了估算?

在 WebBench 中、我编辑了 PCB 模型、去掉了第2/3层中的铜、并收缩了顶层和底层上的铜。 我正在尝试 验证我是否会在600mA 直流负载下受到热限制。

图1.

图2.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    胡利奥

    总损耗包括 HS 导通损耗+ HS 交叉损耗+ HS 栅极电荷损耗+ SW 节点输出电容损耗+反向恢复损耗+ LS 导通损耗+ LS FET 开关损耗+ LS 栅极电荷损耗+ LDO 损耗+二极管导通损耗+ DCR 损耗。

    我将在您的电子邮件地址上分享一份包含您的值的 Excel 工作表。

    ----阿姆布雷什