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[参考译文] LM25118-Q1：高侧导通

admin
Guru**** 2407460 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/657160/lm25118-q1-high-side-turn-on

器件型号：LM25118-Q1

 

您好！

我正在使用 LM251118。 我需要知道如何计算高侧的 VGS   、以确保 FET 在控制器之后导通。

我尝试计算 deltaVboot= Qto/Cboot ，但我无法在 数据表中找到所有参数  

有人能帮我解决这个问题吗？

请注意、

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    TI__Guru**** 2407460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    高侧 Vgs 由升压自举电压 V (HB)-V (HS)决定、该电压基本上是 VCC。 HS 电容器每次通过从 VCC 到 HS 的内部二极管由 VCC 充电。