您好！
我无法理解 TIDA-00783中的 Gerbers：
R4如何连接到 AGND？ 它连接到顶层的过孔、但该过孔未连接到其他层上的任何东西。
在 TIDA-00783中：通过 R3附近的方式连接 AGND 和 PGND。 在 LMZ36002数据表中、我看到："保持 AGND 和 PGND 彼此分离。 连接在器件内部进行。"
3.在 pdf 版本的布局中、中间层是空白的、但在光绘文件中、它们不是空白的。
4.我可以获得 Altium 或 Cadence 格式的布局吗？
您好！
感谢您的回答！
1.我根据您的意见和数据表更正了我的布局。 您能再看一次吗？
e2e.ti.com/.../7120.Altium.zip
2.我对 LMZ36002数据表中的布局有同样的疑问： R4如何连接到 AGND？ 它连接到顶层的过孔、而该过孔连接到第3层和底层的 poly。 但没有其他过孔连接到同一个极点。
您好、此图片是快照、但未完成。 在 TIDA-00783 PCB 文件中、R3连接到过孔、而过孔通过中间层的迹线连接到 AGND。
感谢 Yangbo 对 LMZ36002的反馈！
您可以使用一些很酷的器件！
关于：
A. LMZ36002数据表
B.本主题中的原理图和布局
C. TI 参考设计 TIDA-00783
d. TI 评估模块 LMZ36002EVM
我很困惑 LMZ36002是否在内部已经包含高频旁路电容器。 TIDA-00783增加了一个0.1uF 的外部旁路电容。 LMZ36002EVM 没有 0.1uF 旁路电容。 该数据表也没有参考0.1uF。 是否需要0.1uF？ 我可能遗漏了一些东西、很难打破在任何稳压器之前添加0.1uF 的习惯、但 LMZ36002是否需要这种习惯？ 还是与内部输入旁路电容器冗余？
此外、TIDA-00783还附带40V 输入下的测试数据、这非常令人困惑、因为40V 直流偏置会使有效陶瓷电容降至非常接近或低于数据表(第7页)中规定的最小4.7uF。 psearch.en.murata.com/.../GRM32ER71H106KA12#.html 将 Murata 链接至直流偏置与电容间的关系显示<4uF@40V。 数据表编号中有多大的空间？ 更高的 ESR 电解电容是否能够满足>=4.7uF 的要求？
我应该尝试使用示波器观察什么、以查看是否存在电容器老化和温度从电容再下降10%时的长期故障风险？ 如何观察到 Vin 陶瓷电容不足？
非常感谢您的反馈！
