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[参考译文] BQ24610：高侧 MOS 的 VGS 波形故障

admin
Guru**** 2451510 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24610

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/661887/bq24610-vgs-waveform-fault-for-high-side-mos

器件型号：BQ24610

您好！

  当我测试 BQ24610电路时、我发现高侧 Vgs 正在起升时电压会下降、有没有办法避免？ PS：隐藏侧 MOS：NTMFS4941NT1G、低侧 MOS：NTMFS4935NT1G

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    TI__Guru**** 2451510 points
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    您能否标记每种波形是什么？ 它们是否都在相同条件下进行了测试？  

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    TI__Guru**** 2451510 points
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    您好、图1、6、7、8 表示高侧 MOS 上的 VGS 故障、图2表示原理图、图3、4、5表示 VDS。 和和数字在相同条件下进行了测试。

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    TI__Guru**** 2451510 points
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    您可以共享布局吗？ 尤其是在电路的转换器部分。
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    TI__Guru**** 2451510 points
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    这是6层 PCB、第二层用于 GND、第五层用于电源形状、高侧和低侧的栅极引脚位于第3层、SW 位于第4层、BQ24610 MOS 和电感器位于顶层。

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    TI__Guru**** 2451510 points
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    为了获得最佳实践、最好将所有电源组件放置在同一层并将接地层用作屏蔽层、尤其是所有开关元件。

    从先前的波形来看、VGS 上的电压尖峰很可能是寄生电感引起的。 让高频开关环路尽可能小、这一点非常重要。 下面是一个示例。