• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 2 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 167 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD16401Q5：MOSFET 传输特性

admin
Guru**** 2381580 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/656460/csd16401q5-mosfet-transfer-characteristics

器件型号：CSD16401Q5

您好、TI、

您能否提供有关用于构建此曲线的条件(VDS、脉冲持续时间、占空比)的信息？  我想了解在三种不同温度下 IDS 曲线所处的 Vgs 变化点是什么。 我想会使用更高的 ID 电流。

此致

Anastacio Favela

  • 0
    TI__Guru**** 2381580 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Anastacio、
    对于这些曲线、VDS 始终在5V 下完成。 数据表上应将其列为条件、但不是这样、因此感谢您提请我们注意。

    我认为占空比和脉冲持续时间理论上是不相关的、因为脉冲持续时间足够短、可以防止任何明显的自发热、而占空比足够长、可以使结降至其调节温度。

    换言之、所有这些测量的结温和外壳温度应相同。

    对于所有三条曲线、我们都有高达140A 的数据、您询问的交叉点(也称为零温度系数)出现在~3.1Vgs、125A。
  • 0
    TI__Guru**** 2381580 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢！