[参考译文] REF5040：射频辐射抗扰度测试。

admin

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/666693/ref5040-rf-radiated-immunity-tests

器件型号：REF5040

你(们)好。

我们目前正在使用此 IC 作为 ADC 的基准电压。

问题是、在通过射频辐射抗扰度测试时、输出引脚不稳定、我们会得到错误的 ADC 读数。

这种情况发生在450至700 MHz 频带。

电路：

请注意、修整引脚已断开、这是否是导致此问题的原因？

此致、

Daniel

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2448780 points

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Daniel、您好！

您能给我们提供有关您的设置和结果的更多信息吗？

我会在输入/输出中添加一个大约50pF-100pF 的较小电容器来对射频信号进行去耦、因为1uF 可能不够。我还看到了两个较小的射频去耦电容器(即10pF + 33pF)并联使用的示例、以降低射频信号的影响。这些值取决于衰减所需的射频频率。

修整引脚中的电容器通常会添加较低频率的极点、但也不会影响对该输入的保护。

-Marcoo

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2448780 points

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Daniel、您好！

PCB 是否没有任何屏蔽？这将是解决您的问题的最简单方法。

为了去耦目的并联使用两个或多个不等电容器时、请小心。这可能会导致巨大而急剧的阻抗最大值、其中电容器完全失去去耦能力。如果所有电容器都是 ESR 极低的陶瓷电容器、则尤其会发生这种情况。在过去的好日子里、当钽或电解电容器与陶瓷电容器并联使用时、钽或铝电解电容器的高 ESR 会抑制这种谐振。但只有陶瓷电容器都显示极低的 ESR、这些谐振根本不会减阻尼、并且可以观察到巨大而急剧的阻抗最大值。

如果您确实需要更大的电容、请仅并联相同的陶瓷电容器。则几乎不会产生谐振。不等电容器的并联仅在其中一个电容器具有具有巨大的等效串联电感的大型封装以及您想要使用更小封装的电容器的较低电感进行分流时才有意义。例如：100µF μ F 铝电解电容器并联100N 陶瓷电容器。但是、使用相同的封装(例如0805)并联所有不均匀的电容器根本没有意义、因为没有大电感需要由较低的电感进行分流。您最终只会产生阻抗谐振、从而影响去耦能力。

请记住：高电容与尽可能低的等效串联电感相结合、对于正确去耦非常重要。因此、在尽可能小的封装中采用具有尽可能大电容的陶瓷电容器。在您的10µ 中、这可能是一个 Δ F /0805 / X7R 电容器。或并联两个4µ7 Ω/0805 / X7R 电容器。但不要将1210陶瓷电容器与0805陶瓷电容器并联。

有时、如果我们需要将 TransZorb 与陶瓷电容器并联、或者如果我们需要并联不均匀的陶瓷电容器、我们会对陶瓷电容器串联一个0R22...0R47的小电阻。这将略微抑制谐振。

Kai

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[参考译文] REF5040：射频辐射抗扰度测试。