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[参考译文] LM4050-N-Q1:EMI 测试时注入的射频信号会显著改变基频电压

Guru**** 674950 points
Other Parts Discussed in Thread: LM4040
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/654911/lm4050-n-q1-injected-rf-signal-at-emi-tests-vary-referenz-voltage-significantly

器件型号:LM4050-N-Q1
主题中讨论的其他器件:LM4040

您好!

我将 LM4050QAEM3-2.5/NOPB 2.5V 电压基准与运算放大 器(单电源12V)结合使用、作为1.1mA 的电流源。 请参阅随附的原理图。
该电流 由大约0.5米远的电阻器消耗。 电阻器的正弦线与 我的器件在同一根电缆中的220V 交流电源线并联。
我无法更改它。

在 EMI 测试中、通过 耦合器件向主电源线注入150kHz-80MHz 的射频信号调幅、20V 时的音调为1kHz 调制、
我发现、LM4050的基准电压将从其2.5V 标称值(介于0V 和 电源电压至基准电压之间)显著上升和下降
谐振频率下的噪声。

我目前所做的工作:

-我使用 了一个与 LM4050并联的2.2nF 陶瓷电容器
-我在连接电阻器的信号线路中使用了电感器680uH
-从电流源信号线路到接地、我使用了一个2.2nF 陶瓷电容器

问题:
1. 是否知道通过注入射频信号影响电压基准值的行为?
2.我可以采取什么措施来避免这种行为?
3.是否有其他电压基准没有此类行为?

有什么想法吗?

 

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    您好、Ulf、

    在高于10MHz 的极高频率测试中、LM4050确实会出现电压偏移。 这里已经 针对 LM4040进行了一些研究、LM4040具有类似的架构、而 IEEE 则针对 通用分流器进行了一些研究。 通常、分流器比串联电压基准更容易受到影响。 如果 EMI 是一个大问题、您可以使用 串联电压基准来生成电流源 、该电压基准通常在高频下不会出现这种偏移。

    -Marcoo

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    您好、Ulf、

    您的信号线与电源线并联?? 在同一根电缆中运行?? 但这完全是白痴! 将信号线花费在自己的电缆上。 使用带有两个导体的屏蔽电缆、一个导体用于信号线、另一个导体用于接地回路信号。 将屏幕连接到电路的 GND。 屏幕上不得有任何信号电流流动。 这是成功实现性能的基本要求!

    下一个问题是电流源的拓扑。 如果需要为电流源输出添加滤波、则不建议将负载置于运算放大器的反馈环路内。 使用不同的电流发生器概念、例如在输出端具有这一众所周知的 PMOS FET 的标准高侧电流源。

    Kai