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器件型号：BQ28Z610 主题中讨论的其他器件： BQSTUDIO、 EV2400
我有一个将 bq28z610器件配置为1s 运行的设计、其中 CHG FET 在器件进入睡眠模式时关断。
电池组配置为在成功的 I2C 通信时唤醒、然后在30秒无通信后返回睡眠状态。 这似乎工作正常。 不过、如果唤醒是命令写入、有时会发生第一个传输命中或缺失。
电池组还配置为在电流比较器上唤醒大约200mA。 如果可以、我会将其设置得更低、但这是所用传感电阻器的最低设置。
当我尝试通过放电(因为 CHG FET 关断)"唤醒"电池组时、在低电流时、CHG FET 导通(在~2s 后)、电压增加、我认为这是 CHG FET 二极管保护特性。
当放电被移除时、CHG FET 以~2s 的单位关闭。 我假设内部状态仍然是"睡眠"。 这似乎是预期行为。 iff 切换至充电速度足够快、我可以为电池组充电。
当我尝试通过放电将电池组"唤醒"至高于唤醒比较器阈 值时、CHG FET 会打开(几乎立即)、并且电压会增加、我认为这是"通过电流唤醒"。
当放电被移除时、CHG FET 以~2s 的单位关闭。 我假设内部状态为"活动"。
这是正确的操作吗？ 我的问题与上述最后状态有关：我是否可以增加"活动"时间以匹配通信超时？ 2s 太短、以至于我们的 ATE 无法可靠地从 DSG 切换到 CHG、而且它没有通信功能。 我找不到任何设置来设置这次。 我希望它基于平均电流、或者它将使用通信超时、但情况似乎并非如此。 请提供建议。
