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[参考译文] BQ2980：BQ298006、高侧 MOS 泄漏电流

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2980, CSD83325L, CSD87313DMS, CSD17585F5
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/661356/bq2980-bq298006-high-side-mos-leak-current

器件型号：BQ2980
主题中讨论的其他器件： CSD83325L、 CSD87313DMS、 CSD17585F5

我们的客户已将 BQ298006 + SII S-8206设计为用于智能手机的电池组。  他们想知道高侧 MOS、泄漏电流太高。 尽量减少。

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    亨特

    我明天将在办公室内研究这个问题。

    谢谢、
    Eric Vos
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    TI__Guru**** 2382480 points
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    亨特

    很抱歉我没有回来。 我已经研究了提供的原理图上列出的 FET、我看到它的栅极泄漏电流为+/- 10uA。 遗憾的是、这对于 bq2980来说太高了。 bq2980要求泄漏电流小于1uA。 以下是符合 其数据表中此要求的推荐 FET 列表。  

    1. OnSemi - EFC8811R、EFC6602
    2. Renesas - RBK01P10GQT、PA2396T1P
    3. Panasonic - DSMKA280L、FC6H21680L
    4. AOS–AOC3860
    5. TI–CSD83325L  
    6. TI - CSD87313DMS
    7. TI - CSD17585F5

    如果您有任何其他问题、请告诉我。  

    谢谢、

    Eric Vos

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    如何计算 BQ2980的栅极泄漏电流影响？ 谢谢。
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    TI__Guru**** 2382480 points
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    亨特

    遗憾的是、没有可使用的简单公式。 最好的做法是使用所需的 FET 进行测试。 简单的过程如下所示。

    1) 1)如果 FET 的封装尺寸相同、我建议使用 TI bq2980 EVM 并交换 TI FET 和新 FET

    2) 2)将源表连接到 Bat+/Bat-

    3) 3)在整个电池电压范围内扫描电压时、监控从源表流出的电流。  

    4) 4)电流将产生噪声、因为 FET 上的泄漏电流越大、电荷泵的开关越多、从而使 CHG/DSG 引脚保持高电平。 确保尽可能快地进行大量测量、并对其求平均值。

    谢谢、

    Eric Vos