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[参考译文] LM5116:LM5116

Guru**** 2442090 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/667399/lm5116-lm5116

器件型号:LM5116

我们的电源包含3个输出。 其中包括41V、5A。 电路连接初级和次级部分。 通用交流(90V-265V)是初级侧的输入,而次级侧提供55V 直流轨。

此55V 直流电压是 LM5116的输入电压、可获得41V 的输出电压。  在90V 交流输入下,当下 MOSFET 栅极为10欧姆时,电源无法提供41V 电压。 相反、对于4.7欧姆或0欧姆、LM5116可以提供输出。 这种情况的可能原因和解决方案是什么?

注意:我们需要10 Ω 栅极电阻器来降低 MOSFET、从而降低 EMI 辐射。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Daliya、

    低侧 FET (LSF)栅极中的串联电阻将在 LO 引脚向引脚灌入电流(Lo 低电平)时降低其两端的电压。 如果低侧栅极电阻器上的压降超过 Los 侧 FET 的 Vth、则低侧 FET 将在不应该打开时开启、因为高侧 FET 开启、从而产生电流限制事件。 这是我认为10欧姆电阻器发生的情况。

    由于 LSF 是零电压开关(由于死区时间内体二极管导通),因此 LSF 栅极不需要栅极电阻器,建议安装零欧姆。

    希望这对您有所帮助?

    David。