[参考译文] BQ77905：高侧 CHG 电流路径与 P-MOS、低侧 DSG 电流路径与 N-MOS。

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/653851/bq77905-the-chg-current-paths-on-high-side-with-p-mos-the-dsg-current-path-on-low-side-with-n-mos

器件型号：BQ77905
主题中讨论的其他器件： BQ76200

您好！

我想将 BQ77905*2用于6S 电池、但 CHG 和 DSG 是单独的电流路径。

设计请求如下所示：

A；CHG 和 DSG 是单独的电流路径

B；高侧 CHG 电流路径与 P-MOS、低侧 DSG 电流路径与 N-MOS。

但是、slua722仅引入 CHG 和 DSG 、它们是低侧的单独电流路径。

如果 BQ77905能够支持我的设计请求、您能提供一些建议吗？

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2394225 points

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您好、ke、

尽管不是高侧 PMOS 驱动器、但 bq76200高侧 N 沟道 FET 驱动器可能是您的关注点。

关于 bq77905、器件专家将于明天作出响应。

谢谢！

此致、
Bryan Kahler

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2394225 points

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您好 Ke、
您可以在由 bq77905中的 CHG 或 CHGU 驱动的信号 FET 控制的 PACK+路径中放置一个 P 沟道 FET。我不知道 bq77905的示例、但 www.ti.com/lit/sluu474第43页的高侧 P 沟道充电 FET 的示例可能是 Q15和 Q4。使用高侧 P-ch 的潜在回路是 CHG 导通时栅极的偏置电流以及使用大电阻器以最大程度地减小该电流而导致 FET 缓慢开关的电流。对于充电 FET、慢速开关通常是可以接受的、该原理图的 Q6是一个示例、说明了在需要时加快关断的方法。
低侧放电开关的实现方式与单独电流路径中的 Q1类似、应用手册 www.ti.com/lit/slua772。
bq77905的体二极管保护特性仍会在放电电流情况下打开高侧 P 沟道充电 FET、信号晶体管和栅极控制电路可能会产生轻微延迟。

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] BQ77905：高侧 CHG 电流路径与 P-MOS、低侧 DSG 电流路径与 N-MOS。