您好!
我想将 LM5050 FET 控制 器与 IRF7769L2 MOSFET 配合使用、以充当理想二极管。
我从数据表中了解到、LM5050将 VGS 设置为打开 IRF7769L2 MOSFET。 然后、它监测 VDS 电压 并将输出电压与输入电压之间的差值与 VSD (REG)= 22mV 进行比较、以禁用 MOSFET 栅极。 然后、理想二极管的正向电压可通过 Vf= Rdson x IDRain 获得 (例如 、流经 IRF7769L2漏极的电流为2A、然后 Vf= VDS= Rdson x IDRain = 2.8m Ω x 2A = 5.6mV)。
然而、在 LM5050数据表中、其表述如下:"LM5050-1旨在调节 MOSFET 栅源极电压。 如果 MOSFET 电流降至 MOSFET 两端的电压降至22mV (典型值)的 VSD (REG)电压调节点以下、栅极引脚电压将降低、直到 MOSFET 两端的电压稳定在22mV。 如果源漏电压大于 VSD (REG)电压、则栅源电压将增大、并最终达到12V 栅极至 IN 引脚齐纳钳位电平"
因此、无论通过 MOSFET 的漏极电流如何、LM5050是否会将 MOSFET VDS 调节为22mV? 我是说、如果 VDS 由 LM5050固定在22mV、或者 VDS 由 MOSFET Rdson 固定为 Rdson x IDrain、即使该值较低。
此外、在功能方框图中可以看到电压阈值为30mV。 此值是否为 VSD (REG)的最大值?
提前感谢您。