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[参考译文] LM5050-1:LM5050作为理想二极管:正向电压计算

Guru**** 2442090 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/662780/lm5050-1-lm5050-as-an-ideal-diode-forward-voltage-calculation

器件型号:LM5050-1

您好!  

我想将 LM5050 FET 控制 器与 IRF7769L2 MOSFET 配合使用、以充当理想二极管。

我从数据表中了解到、LM5050将 VGS 设置为打开 IRF7769L2 MOSFET。 然后、它监测 VDS 电压 并将输出电压与输入电压之间的差值与 VSD (REG)= 22mV 进行比较、以禁用 MOSFET 栅极。 然后、理想二极管的正向电压可通过 Vf= Rdson x IDRain 获得  (例如 、流经 IRF7769L2漏极的电流为2A、然后 Vf= VDS= Rdson x IDRain = 2.8m Ω x 2A = 5.6mV)。

然而、在 LM5050数据表中、其表述如下:"LM5050-1旨在调节 MOSFET 栅源极电压。 如果 MOSFET 电流降至 MOSFET 两端的电压降至22mV (典型值)的 VSD (REG)电压调节点以下、栅极引脚电压将降低、直到 MOSFET 两端的电压稳定在22mV。 如果源漏电压大于 VSD (REG)电压、则栅源电压将增大、并最终达到12V 栅极至 IN 引脚齐纳钳位电平"

因此、无论通过 MOSFET 的漏极电流如何、LM5050是否会将 MOSFET VDS 调节为22mV? 我是说、如果 VDS 由 LM5050固定在22mV、或者 VDS 由 MOSFET Rdson 固定为 Rdson x IDrain、即使该值较低。

此外、在功能方框图中可以看到电压阈值为30mV。 此值是否为 VSD (REG)的最大值?

提前感谢您。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    请参阅随附的线性 ORing 控制演示。

    e2e.ti.com/.../What-is-an-ORing.pptx

    LM5050-1调节栅源电压以实现22mV VDS 调节。

    在您的示例"(例如 、通过 IRF7769L2漏极的电流为2A、然后 VF = VDS= Rdson x IDRain = 2.8m Ω x 2A = 5.6mV)"中、LM5050-1将降低栅极电压、从而使 Rdson 增加到22mV/2A = 11m Ω。

    现在、如果您尝试使用4A、则栅极电压将增大、从而将 RDSon 减小到22mV/4A = 5.5m Ω。

    此致、

    Kari。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    非常感谢您快速回答问题。

    如您的解释和文档"什么是 ORing.pptx "中所述、我了解 LM5050通过调节栅极电压来尝试提供 Vf = 22mV 的正向电压。 这种效应涉及 MOSFET Rdson 根据施加的栅极电压而变化。  此假设是否正确?

    提前感谢您。

    此致

    AM

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好。

    是的、MOSFET Rdson 随着栅极电压的调节而变化、从而实现22mV 的调节

    此致、
    Kari。