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[参考译文] LM25116:关于 LM25116设计

Guru**** 2418090 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25116, LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/666325/lm25116-about-design-of-lm25116

器件型号:LM25116
主题中讨论的其他器件: LM5116

您好!

"在某些采用 LM25116的电路板上、会发生振荡现象、导致输入电源过流。 我有技术问题。  

 我们认为误差放大器的设计存在问题、并且相位裕度不足。"

以上问题是客户提出的。

因为有很多问题、
即使是部分答复也是可以的。

客户提出的问题如下所述。
()的内部是我的猜测。

问题1.

在数据表 P24中、描述了"CIN>10×LIN"。
这种 LIN 意味着什么?

(它是输入的寄生电感吗?)

问题2.

图33所示电路中的 P21数据表、
μF 将1 μ F 电容器连接到 Vccx?

(是否为旁路电容器?)

问题3.

是否有办法确定 Q2的电容器?

问题4.

LM25116是否在空载条件下运行?

问题5.

Rcomp 和 Ccomp 的值使用"LM5116_Quickstart.xls"来确定。
此处计算的值是否支持从低负载到高负载的范围?

问题6.

是否无需计算连接在电源电路之后的电容器?

问题7.

使用 LM5116_Quickstart.xls 计算出的值、
我测量了环路。
相位裕度和增益裕度将随负载而变化。

应在何处设置负载?(Iout max?)

问题8.

我们的系统具有液晶面板。
输入电压通过液晶背光在脉冲上摆动。
该状态是否会影响相位补偿和运行?

问题9.

在低负载时、
即使使用了 RDEMB、也可以进入二极管仿真模式吗?
进入二极管仿真的要点是什么?

此致、

渡边

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    Wantabe、您好!

    请参阅下面的我的回答。

    Q1答案
    正确、LIN 是线路阻抗。

    Q2应答
    正确、它是 Vccx 输入的旁路电容器

    Q3应答
    我想您在问输出电容? 输出电容是 FET 的输出电容、或从漏极到源极的电容。

    Q4答案
    是的

    Q5应答
    对于高负载、如果高负载、低负载将始终保持稳定。

    问题6回答
    关于输入电容器、建议使用满足 RMS 纹波电流额定值的陶瓷电容器。 最坏的情况是,该值是 Iout*0.5。 根据此标准选择的电容具有足够的电压保持能力以满足降压转换器的正常运行、无需计算 Cin 产生的 dV……

    问题7回答
    最大输出电流

    Q8应答
    在这两种情况下都应检查稳定性、如果在计算器中输入 VIN 最小值和最大值、则将确定输入的整个 VIN 范围的最佳补偿。

    Q9回答
    是可以在二极管仿真中运行。 电感器电流变为负值的点是您进入 DCM 的点。 即 Iout = 0.5*Delta IL。
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    虽然有很多问题、
    感谢您的快速回复。


    还有其他问题。
    在计算中是否需要考虑连接到负载侧的电容器等?

    此致、
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    您好!

    是的、请确保在快速入门计算器中为 Cout 条目包含 Cout 总计。

    希望这对您有所帮助?

    David。