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[参考译文] LM5060-Q1:具有 LM5060的双向高侧 N 沟道 MOSFET 电路

Guru**** 2434570 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/663651/lm5060-q1-bi-directional-hi-side-n-ch-mosfet-circuit-with-lm5060

器件型号:LM5060-Q1
主题中讨论的其他器件:CSD19536KTT

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/5367.bi-directional-switch.pdf

您好!

我的应用是:我正在开发智能电池组。 电池组只有2个输出引脚、这些引脚是电池正极和负极引脚。 当电池组处于车辆中时、它必须支持驱动电机。 如果它在充电站中、则它必须充电。

因此、我开发了一个双向高侧 n 通道 MOSFET 开关、并通过我的微控制器进行控制。 在这里、栅极没有 PWM。 这意味着无需电压或电流控制。 我将使用 MOSFET 双向部分、就像使用继电器一样。

 问题是:放电时(驱动马达),我没有遇到任何问题。 我正在控制栅极。

为 MOSFET (U5、U6、U7之一)充电时损坏(所有栅极漏极和源极引脚均显示短路)。 发生了两次。

我的充电器仅提供最大60V 电压。 我的 MOSFET 额定值均为100V、180A。 使用示波器观察到、充电器也没有尖峰。

PLZ 验证我的电路并向我建议解决方案。

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    等待支持

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    Reddy、

    我不确定原理图中会发生什么情况。 建议您与您当地的 FAE 合作、以帮助解决根本问题。 FET 不是最佳的 FET wrt SOA 性能。 您可能需要使用 CSD19536KTT 等更好的 SOA FET。

    Brian
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    我可以解释 Infineon 的 SOA 比 TI MOSFET 要宽一些。

    我是不是在我的理解中的某个位置起错作用?e2e.ti.com/.../SOA-Graph-comparison.docx