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[参考译文] BQ40Z60：针对辐射发射问题调整电阻器大小

admin
Guru**** 2434950 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z60

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/665057/bq40z60-resistor-sizing-for-radiated-emissions-issue

器件型号：BQ40Z60

我们在新设计中使用 BQ40Z60时一直存在辐射发射问题、经过进一步研究、似乎许多其他设计在这种紧密集成的封装中也存在类似的问题。


我们能够通过(除其他外)将开关 MOSFET 驱动电阻器从0欧姆增加到39欧姆(BQ40Z60数据表中典型应用电路中的 R23和 R24)。


一切看起来都可以正常工作、但我想了解 TI 是否可以在最终确定设计之前权衡更改此驱动电阻器的任何意外影响。 对于 BQ40Z60、39欧姆是否是可接受的驱动电阻？

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    TI__Guru**** 2434950 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Zachary、
    将 R23、R24的值从0欧姆更改为39欧姆不应显著影响充电器的性能、但它会降低 EMI 并降低 FET 的导通和关断压摆率。
    我认为、如果您使用低栅极电容 FET、实际上应该建议这样做、否则会出现振铃和 EMI 问题。
    我看到的唯一缺点是、您会稍微降低效率、但它应该远低于0.5%。
    此致、
    Swami
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    TI__Guru**** 2434950 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Swami、TI 能否评论 BQ40Z60设计中使用的开关 MOSFET 的最大允许驱动电阻？ 我们正在考虑将其升高到超过39欧姆至100欧姆或更高、并希望了解我们将遇到的问题。